Soitec

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Soitec
logo de Soitec
Création 1992
Fondateurs André-Jacques Auberton Hervé & Jean-Michel Lamure
Forme juridique Société Anonyme (S.A.)
Siège social Drapeau de France Bernin (Isère) (France)
Direction Paul Boudre, Directeur Général et Président du Conseil d'administration
Actionnaires

Public 82,266%
BPI France 9,542%
André-Jacques Auberton-Hervé 2,302%
Shin-Etsu Handotaï Co Ltd (premier partenaire à avoir bénéficié d'un accord de licence avec Soitec) 1,925%
Caisse des Dépôts et Consignation 3,736%

Famille Auberton-Hervé 0,229%
Produits Matériaux semi-conducteurs à base de silicium sur isolant, solutions de transfert de couches de matériaux semi-conducteurs
Effectif 1149 (31 mars 2015)
Site web Site officiel
Dette 259,2 millions d'€ (2014-2015)[1]
Chiffre d’affaires en diminution 222,9 millions d'€ (2014-2015)[1]
- 9,8% vs 2013-2014

Soitec est une entreprise industrielle internationale d’origine française spécialisée dans la conception et la production de matériaux semi-conducteurs.

Les matériaux semi-conducteurs de Soitec sont utilisés pour la fabrication des puces qui équipent les smartphones, les tablettes, les ordinateurs, les serveurs informatiques ou les data centers. On les retrouve aussi dans les composants électroniques présents dans les automobiles, les objets connectés (internet des objets), les équipements industriels et médicaux.

Le produit phare de Soitec est le silicium sur isolant (SOI). Les matériaux produits par Soitec se présentent sous la forme de substrats (aussi appelés "wafers") : il s'agit de plaques (disques ultrafins) de 200 et 300 mm de diamètre et d'une épaisseur de moins d'1 mm, sur lesquels sont gravés puis découpés les circuits de composants électroniques.

Historique[modifier | modifier le code]

Soitec a été fondée en France près de Grenoble en 1992 par deux chercheurs issus du CEA-Leti (Laboratoire d’électronique et de technologie de l’information du Commissariat à l’Énergie Atomique) Ils développent la technologie Smart Cut (en) pour produire à l’échelle industrielle des plaques de silicium sur isolant (SOI) et font construire leur première unité de production à Bernin (Isère).

En appliquant cette technologie à d’autres matériaux que le silicium et en développant d’autres procédés, Soitec développe une expertise dans le domaine des matériaux semi-conducteurs pour le marché électronique.

À la fin des années 2000, Soitec entre sur les marchés de l’énergie solaire et de l’éclairage, où ses matériaux et ses technologies bénéficient de nouveaux débouchés. En 2015, l'entreprise annonce un recentrage sur son coeur de métier, l'électronique[2].

L'entreprise emploie un millier de personnes dans le monde et possède des sites industriels à Bernin près de Grenoble en France et à Singapour, ainsi que des centres de R&D et des bureaux commerciaux en France, Arizona, Californie, Chine, Corée, au Japon et à Taïwan.

Dates clés[modifier | modifier le code]

  • 1992 : création de Soitec, issue du CEA-Leti, à Grenoble
  • 1997 : passage à l’échelle industrielle, avec la signature d’un accord de licence avec Shin-Etsu Handotaï LTD (SEH) sur la technologie Smart Cut
  • 1999 : construction du 1er site de production à Bernin (Bernin 1) et entrée en Bourse (Euronext, Paris)
  • 2002 : inauguration de Bernin 2, usine dédiée aux plaques de diamètre 300 mm
  • 2003 : rachat de Picogiga International, spécialiste des technologies pour les matériaux composés III-V, début de l’ouverture à des matériaux autres que le silicium sur isolant (SOI)
  • 2006 : acquisition de Tracit Technologies, spécialiste de l’adhésion moléculaire et de l’amincissement mécano-chimique, qui permet la diversification des applications de la technologie Smart Cut
  • 2008 : ouverture d’un site de production en Asie à Singapour. En 2012, ce site accueille l’activité de recyclage de plaques SOI. En 2013, la production est arrêtée afin de préparer le site à la production des nouveaux produits, FD-SOI.
  • 2009 : acquisition de la société allemande Concentrix Solar, fournisseur de systèmes photovoltaïques à concentration (CPV) : Soitec entre sur le marché de l’énergie solaire.
  • 2011 : rachat d’Altatech Semiconductor, spécialisée dans le développement d'équipements pour la production de semi-conducteurs.
  • 2012 : ouverture d’une usine de production de modules CPV à San Diego, en Californie, dotée d’une capacité de 140 MWc pouvant atteindre 280 MWc.
  • 2013 : Soitec et Sumitomo Electric signent un accord de licence portant sur la technologie Smart Cut pour développer le marché des plaques en nitrure de gallium dédiées à des applications d’éclairage par LED. Un autre accord est signé par Soitec avec GT Advanced Technologies pour développer et commercialiser un équipement de production de plaques dévolues à la fabrication de LED et d’autres applications industrielles.
  • 2014 : Samsung ElectronicsSemi-conducteur III-VSamsung et STMicroelectronics signent un accord de fonderie et de licence. Il permet à Samsung d'utiliser la technologie FD-SOI pour réaliser des circuits intégrés en 28 nm[3]. Cette technologie FD-SOI résulte de la coopération nouée entre Soitec, ST et le CEA-Leti[4]. Par ailleurs, la division Énergie solaire de Soitec met en service les premiers 50% de la centrale de Touwsrivier en Afrique du Sud, dont la puissance finale doit être de 44 MWc[5]
  • 2015 : après l'arrêt d'importants projets solaires aux Etats-Unis, Soitec annonce un recentrage stratégique sur son activité électronique et un plan de sortie des activités énergie solaire.  
  • 2015 : dans l'électronique, la fonderie GlobalFoundries annonce en juillet la mise en place d'une plate-forme technologique dédiée à la fabrication des puces FD-SOI en 22 nm[6].

Activités[modifier | modifier le code]

Historiquement, Soitec a promu le SOI (silicon on insulator ou silicium sur isolant) pour la fabrication de puces électroniques destinées aux ordinateurs, consoles de jeux, serveurs informatiques, mais aussi à l’industrie automobile.

Avec la montée en puissance des produits mobiles (tablettes, smartphones, …) sur le marché de l’électronique grand public, Soitec développe de nouvelles offres de matériaux destinés aux composants de radiofréquence, aux processeurs multimédia ou encore à l'électronique de puissance.

L'essor de l'Internet des objets, des "wearables" et des produits de mobilité font naître de nouveaux besoins en termes de performance et d'efficacité énergétique des composants électroniques. Sur ces marchés, Soitec propose des matériaux permettant de réduire la consommation d'énergie des puces, d'augmenter leur vitesse de traitement des informations et de répondre au besoin de haut débit.

Dans le domaine de l'énergie solaire, Soitec a fabriqué et fourni des systèmes photovoltaïques à concentration (CPV) de 2009 à 2015. Soitec a annoncé l'arrêt de cette activité en janvier 2015 à la suite de l'arrêt d'importants projets de centrales. Les travaux de R&D conduits par l'entreprise pour mettre au point une nouvelle génération de cellules solaires à quatre jonctions lui avaient permis d'atteindre en décembre 2014 un record mondial avec une cellule capable de convertir 46% du rayonnement solaire en électricité[7].

Dans le secteur de l'éclairage, Soitec exerce des activités en amont et en aval de la chaîne de valeur des LED.

En amont, l’entreprise utilise son expertise des matériaux semi-conducteurs pour développer des substrats à base de nitrure de gallium, le matériau de base des LED.

En aval, Soitec développe un ensemble de partenariats industriels pour commercialiser de nouvelles solutions d’éclairage, destinées à des utilisations professionnelles (éclairages urbains, de bureaux et d’infrastructures de transports).

Technologies[modifier | modifier le code]

Soitec développe plusieurs technologies :

La technologie Smart Cut[modifier | modifier le code]

Développée par le CEA-Leti, en collaboration avec Soitec[8], cette technologie a été brevetée[9] par le chercheur Michel Bruel. Elle permet le transfert de très fines couches monocristallines d’un substrat donneur vers un substrat support, en associant l’implantation ionique et le collage par adhésion moléculaire. Soitec utilise la technologie Smart Cut pour la production en fort volume de plaques de SOI. Par rapport au silicium brut classique, le SOI permet de diminuer significativement les pertes d’énergie dans le substrat et améliore les performances du composant dans lequel il est utilisé.

La technologie Smart Stacking[modifier | modifier le code]

Cette technologie consiste à transférer des plaques gravées ou partiellement gravées sur d’autres matériaux. Elle est adaptable aux plaques de 150 mm à 300 mm de diamètre, et est compatible avec une grande diversité de substrats comme le silicium, le verre ou le saphir.

La technologie Smart Stacking est utilisée pour les capteurs d’image rétro-éclairés, dont elle accroît la sensibilité et permet de diminuer la taille des pixels, ainsi que dans les circuits radiofréquence des smartphones. Elle ouvre aussi de nouvelles perspectives à l’intégration 3D.

L’épitaxie[modifier | modifier le code]

Soitec dispose d’une expertise en épitaxie des matériaux III-V dans les domaines suivants : épitaxie par jets moléculaires, épitaxie en phase vapeur aux organométalliques et épitaxie en phase vapeur par la méthode aux hydrures. L’entreprise fabrique des plaques d’arséniure de gallium (GaAs) et de nitrure de gallium (GaN) destinées au développement et à la fabrication de dispositifs semi-conducteurs composés.

Ces matériaux sont utilisés dans les appareils électroniques de radiofréquence (wifi) et haute fréquence (télécommunications mobiles, réseaux d’infrastructure, communications par satellite, réseaux de fibres optiques et détection radar), mais aussi dans la gestion de l’énergie et dans les systèmes optoélectroniques, comme les LED.

Données financières[10][modifier | modifier le code]

  • Chiffres d’affaires 2014-2015 : 222,9 millions d’euros
  • Résultat opérationnel courant consolidé 2014-2015 : -277,3 millions d'euros
  • Marge brute 2014-2015 : -30,8 millions d’euros

Augmentations de capital[modifier | modifier le code]

Soitec a procédé à trois augmentations de capital :

  • La première en juillet 2011 dans le but de financer des investissements, notamment pour le développement de ses activités dans l'énergie solaire et les LED.
  • La seconde en juillet 2013 pour contribuer au refinancement des actions OCEANE arrivant à échéance en 2014 et consolider la structure financière de l’entreprise. Par ailleurs, Soitec a procédé à une nouvelle émission d’obligations en septembre 2013.
  • La troisième en juin 2014 pour renforcer la situation financière et la position de trésorerie de Soitec, et accompagner la montée en puissance de la production industrielle des substrats FD-SOI[11],[12].

Lien externe[modifier | modifier le code]

Notes et références[modifier | modifier le code]