Herbert Kroemer

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Herbert Kroemer
Herbert Kroemer.jpg
Biographie
Naissance
Voir et modifier les données sur Wikidata (87 ans)
WeimarVoir et modifier les données sur Wikidata
Nationalités
Formation
Activités
Autres informations
Membre de
Académie des sciences utiles (d), Académie nationale des sciencesVoir et modifier les données sur Wikidata
Directeur de thèse
Fritz Sauter (en)Voir et modifier les données sur Wikidata
Nombre d'Erdős
9Voir et modifier les données sur Wikidata
Distinctions
Prix Nobel de physique ()Voir et modifier les données sur Wikidata
Liste détaillée
Grand commandeur de l'ordre du Mérite de la République fédérale d'Allemagne (d)
J J Ebers Award (en)
Prix Nobel de physique ()
IEEE Medal of Honor ()Voir et modifier les données sur Wikidata

Herbert Kroemer, né le à Weimar en Allemagne, est un physicien allemand et américain. Il est colauréat avec Jores Alferov d'une moitié du prix Nobel de physique de 2000[1].

Biographie[modifier | modifier le code]

Il a obtenu son doctorat de physique théorique en 1952 à l'université de Göttingen en Allemagne, avec une thèse sur les effets d'électrons chauds dans les transistors, à l'origine d'une carrière dans la recherche dans le domaine de la physique des semi-conducteurs.

Il a travaillé dans un grand nombre de laboratoires de recherche en Allemagne et aux États-Unis, et a enseigné le génie électrique à l'université du Colorado de 1968 à 1976. Il a rejoint l'université de Californie à Santa Barbara en 1976, en concentrant son programme de recherche sur des technologies émergentes dans le domaine des composants semi-conducteurs, plutôt que sur le silicium.

Herbert Kroemer, qui est membre de l'Académie nationale d'ingénierie américaine, a été le premier à souligner dans les années 1950 les avantages qui pourraient être obtenus dans de nombreux semi-conducteurs par l'incorporation d'hétérojonctions. En 1963, il a proposé le concept de laser à double-hétérostructure, un concept primordial dans le domaine des lasers à semi-conducteurs. Kroemer a été un pionnier dans le domaine de l'épitaxie par jet moléculaire (MBE ou EJM), se concentrant sur l'application de cette technologie à de nouveaux matériaux.

Il est colauréat avec Jores Alferov d'une moitié du prix Nobel de physique de 2000 (l'autre moitié a été remise à Jack Kilby) « pour des travaux de base dans les technologies de l'information et des communications [...] pour le développement d’hétérostructures semi-conductrices pour l’électronique rapide et l’opto-électronique[1] ».

En 2010, il est professeur de génie électrique et informatique à l'Université de Californie à Santa Barbara (UCSB)

Notes et références[modifier | modifier le code]

  1. a et b (en) « for basic work on information and communication technology [...] for developing semiconductor heterostructures used in high-speed- and opto-electronics » in Personnel de rédaction, « The Nobel Prize in Physics 2000 », Fondation Nobel, 2010. Consulté le 28 juin 2010

Liens externes[modifier | modifier le code]