Phase-Change Random Access Memory

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La mémoire PRAM, pour Phase-Change RAM (ou Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM ou encore C-RAM ou Phase-Change Memory en anglais) est un type de mémoire d'ordinateur non volatile encore à l'état de recherche et développement.

À ne pas confondre avec la PRAM (« mémoire des paramètres ») bien connue des utilisateurs Mac.

Description[modifier | modifier le code]

La mémoire PRAM utilise la propriété du verre de chalcogénure, qui le fait basculer de la forme cristalline à la forme amorphe sous l'effet de la chaleur. De manière générale, les matériaux utilisés ou étudiés pour la réalisation de mémoires PRAM sont appelés matériaux à changement de phase.

Les chercheurs espèrent que ce type de mémoire remplacera un jour la mémoire flash, mais 3 obstacles ont été mis en évidence: Le premier est la hausse non maîtrisée du courant nécessaire à une écriture mémoire avec l'augmentation de la finesse de gravure. Le second est la sensibilité des cellules de PRAM à la chaleur. Enfin, une troisième équipe a mis en évidence une augmentation du bruit électronique (de type bruit télégraphique) dans les cellules avec la diminution de la taille de celles-ci[1].

Samsung a annoncé le 28 avril 2010 la livraison des premières PRAM aux fabricants[2],[3].

Notes et références[modifier | modifier le code]

Voir aussi[modifier | modifier le code]

Liens externes[modifier | modifier le code]