Mémoire à changement de phase

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La Mémoire à changement de phase ou PRAM, pour Phase-Change RAM est utilisé pour la réalisation de mémoires PRAM en électronique. Le principe du stockage de l'information repose sur le basculement du matériau entre une phase amorphe et une phase cristalline. Le processus de lecture de l'information exploite le contraste entre les propriétés des deux phases. Le processus d'écriture/effacement consiste à basculer entre les deux phases par chauffage laser et contrôle du refroidissement, d'où l'appellation.

Description[modifier | modifier le code]

La mémoire PRAM utilise la propriété du verre de chalcogénure, qui le fait basculer de la forme cristalline à la forme amorphe sous l'effet de la chaleur. De manière générale, les matériaux utilisés ou étudiés pour la réalisation de mémoires PRAM sont appelés matériaux à changement de phase.

Les chercheurs espèrent que ce type de mémoire remplacera un jour la mémoire flash, mais 3 obstacles ont été mis en évidence: Le premier est la hausse non maîtrisée du courant nécessaire à une écriture mémoire avec l'augmentation de la finesse de gravure. Le second est la sensibilité des cellules de PRAM à la chaleur. Enfin, une troisième équipe a mis en évidence une augmentation du bruit électronique (de type bruit télégraphique) dans les cellules avec la diminution de la taille de celles-ci[1].

Samsung a annoncé le 28 avril 2010 la livraison des premières PRAM aux fabricants[2],[3].

Notes et références[modifier | modifier le code]

Voir aussi[modifier | modifier le code]

Liens externes[modifier | modifier le code]