Ferroelectric Random Access Memory

Un article de Wikipédia, l'encyclopédie libre.
FeRAM

La mémoire FRAM ou mémoire FeRAM (Ferroelectric RAM en anglais) est un type de mémoire d'ordinateur non volatile. Elle est similaire à la mémoire DRAM à laquelle on a ajouté une couche ferro-électrique pour obtenir la non volatilité. En , Texas Instruments lance le premier microcontrôleur à mémoire FRAM[1]. Certaines compagnies, telles que Fujitsu et Cypress Semiconductor ont commencé à produire des circuits utilisant cette technologie.

Par rapport aux mémoires flash utilisées actuellement, cette mémoire possédera les avantages suivants :

  • une plus faible consommation d'électricité ;
  • une plus grande rapidité de lecture et d'écriture (temps d'accès de 100 nanosecondes contre 1 microseconde pour la mémoire flash) ;
  • la possibilité d'être effacée et ré-écrite un bien plus grand nombre de fois.

Les inconvénients sont par contre :

  • des capacités de stockage plus limitées ;
  • un coût de fabrication plus élevé.

Leur utilisation est destinée au SSD.

Références[modifier | modifier le code]

Liens externes[modifier | modifier le code]