Ferroelectric Random Access Memory

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La mémoire FRAM ou mémoire FeRAM (Ferroelectric RAM en anglais) est un type de mémoire d'ordinateur non volatile à l'état de recherche et développement. Elle est similaire à la mémoire DRAM à laquelle on a ajouté une couche ferro-électrique pour obtenir la non volatilité. En mai 2011, Texas Instruments lance le premier microcontrôleur à mémoire FRAM[1]. Certaines compagnies, tel que Fujitsu et Cypress Semiconductor ont commencé à produire des circuits utilisant cette technologie.

Par rapport aux mémoires flash utilisées actuellement, cette mémoire possédera les avantages suivants :

  • une plus faible consommation d'électricité ;
  • une plus grande rapidité de lecture et d'écriture (temps d'accès de 100 nanosecondes contre 1 microseconde pour la mémoire flash) ;
  • la possibilité d'être effacée et ré-écrite un bien plus grand nombre de fois.

Les inconvénients sont par contre :

  • des capacités de stockage plus limitées ;
  • un coût de fabrication plus élevé.

Leur utilisation est destinée au SSD.

Références[modifier | modifier le code]

Liens externes[modifier | modifier le code]