Ferroelectric Random Access Memory
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Pour les articles homonymes, voir FRAM.La mémoire FRAM ou mémoire FeRAM (Ferroelectric RAM en anglais) est un type de mémoire d'ordinateur non volatile à l'état de recherche et développement. Elle est similaire à la mémoire DRAM à laquelle on a ajouté une couche ferro-électrique pour obtenir la non volatilité.
En mai 2011, Texas Instruments lance le premier microcontrôleur à mémoire FRAM.[réf. nécessaire]
Par rapport aux mémoires flash utilisées actuellement, cette mémoire possédera les avantages suivants :
- une plus faible consommation d'électricité ;
- une plus grande rapidité de lecture et d'écriture (temps d'accès de 100 nanosecondes contre 1 microseconde pour la mémoire flash) ;
- la possibilité d'être effacée et ré-écrite un bien plus grand nombre de fois.
Les inconvénients sont par contre :
- des capacités de stockage plus limitées ;
- un coût de fabrication plus élevé.
Leur utilisation est destinée au SSD.
Liens externes [modifier]
- (en) FRAM technology overiew, by RAMTRON
- (en) FeRAM Tutorial
- (en) TI MSP430FR5739, dg
