Hynix

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Hynix Semiconductor Inc.
하이닉스 반도체

Création 1983
Forme juridique Public
Action KSE : 000660.KS
Slogan Good memory
Siège social Drapeau de Corée du Sud Icheon (Corée du Sud)
Direction Jong-Kap Kim (CEO)
Activité semi-conducteurs
Produits mémoire vive DRAM
mémoire flash NAND
Effectif 17 668 (mars 2009)
Site web http://www.hynix.com
Chiffre d’affaires 6 818 milliards KRW (2008)
en diminution 21 %
Résultat net (1 920) milliards KRW (2008)
déficit

Hynix semiconductors Inc. est une entreprise sud-coréenne fabriquant des semi-conducteurs.

Histoire[modifier | modifier le code]

Années 80 et 90[modifier | modifier le code]

Elle fut fondée en 1983 en tant que Hyundai Electronics Industries Co., et s'est concentrée dans les années 1980-1990 dans la production de mémoire DRAM, puis plus tard de SDRAM ainsi que les écrans à tube cathodique, à LCD et les télécommunications. Elle a été notamment la première entreprise au monde à développer le SDRAM 256 Mo en octobre 1995 et le SDRAM 1 Go en mai 1997.

Crise financière asiatique[modifier | modifier le code]

Avec la survenue de la crise financière asiatique en 1997, le gouvernement sud-coréen, via son programme « Big Deal », a imposé l'acquisition de la part de Hyundai Electronics de l'entreprise LG Semiconductors, deux entreprises rivales issues des chaebols Hyundai et LG. L'entreprise a commencé dès lors sa restructuration et a décidé de se spécialiser dans le domaine des semi-conducteurs, notamment en vendant en août 2000 sa division d'écrans, sa branche télécommunication en mai 2001 et sa filiale TFT-LCD en septembre 2001 pour 650 millions de $. Par ailleurs, l'entreprise a changé son nom en l'actuel Hynix en mars 2001 et a définitivement quitté le chaebol Hyundai le mois d'août de la même année.

Années 2000[modifier | modifier le code]

Hynix est l'un des leaders en matière de la technologie de la mémoire vive. En décembre 2001, Hynix a été la première entreprise à commercialiser le SDRAM DDR 128 Mo à usage graphique. L'année suivante, elle a fait de même avec le SDRAM DDR 256 Mo à usage graphique. En 2003, elle a été la première au monde à développer le SDRAM DDR2 1 Go. Les avancées se sont poursuivies avec le développement de la SDRAM DDR fonctionnant à 550 MHz (mars 2004), de la GDDR4 SDRAM 512 Mo (décembre 2005), du DRAM mobile 512 Mo fonctionnant à 200 MHz ainsi que le module SDRAM DDR2 à gravure 60 nm (décembre 2006).

Barrette de mémoire 1GB PC6400 SO-DIMM Hynix

À partir de l'année 2007, tout en dominant le marché de la mémoire vive avec son homologue sud-coréen Samsung Electronics tant au point de vue part de marché et niveau technologique - avec notamment le développement du DRAM mobile 1 Go et le développement du GDDR5 1 Go - Hynix a commencé à se concentrer dans le marché de la mémoire flash et dans le domaine du CMOS Image Sensor. Elle a été notamment la première au monde à pouvoir empiler 24 couches de mémoire Flash NAND (septembre 2007) et à concevoir la première mémoire flash NAND x3 (juin 2008), une technologie qui permet d'intégrer 3 bits par cellule, augmentant ainsi les capacités de stockage et la miniaturisation.

En 2008, selon iSuppli, Hynix est le 2e fabricant au monde de la mémoire vive DRAM, 4e fabricant au monde de la mémoire flash NAND, ce qui fait d'elle la neuvième entreprise au monde de semi-conducteur.

En novembre 2011, SK Telecom annonce le rachat de 21% du capital de Hynix pour 3,4 billions de won, soit approximativement 3 milliard de $ de l'époque[1].

Références[modifier | modifier le code]

Liens externes[modifier | modifier le code]