GDDR4

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La GDDR4 SDRAM (Graphics Double Data Rate, version 4) est un type de mémoire de carte graphique spécifié par le "JEDEC Semiconductor Memory Standard". Son principal concurrent semble être la Rambus XDR DRAM. GDDR4 est le successeur de la mémoire GDDR3 mais n'est pas liée à la norme JEDEC mémoire DDR3.

Historique[modifier | modifier le code]

Le 16 novembre 2005, Samsung a annoncé le développement d'une mémoire de 256 Mib en GDDR4 fonctionnant à 3.2Gbit/s. Samsung a aussi révélé des plans concernant la production en masse de la GDDR4 SDRAM cadencée à 2.8 Gbit/s par pin.

Le 14 février 2006, Samsung a annoncé le développement de la 32-bit 512-SDRAM MiBit GDDR4 capable de transférer 3,2 Gbit/s par pin.

Le 9 février 2007, Samsung a annoncé la production en série de GDDR4 SDRAM 512Mbit à 32bit, sa bande passante est évaluée à 2,8 Gbit/s par pin.

Technologies[modifier | modifier le code]

La GDDR4 SDRAM introduit le DBI (Data Bus Inversion), et le "Multi-Preamble" afin de réduire les délais de transmission des données. Le prefetch est passé de 4 à 8 bits. La quantité maximale de mémoire GDDR4 pour modules a été augmenté à 8. Pour atteindre la même largeur de bande que la GDDR3 SDRAM, la GDDR4 core fonctionne à la moitié de la vitesse du noyau d'une GDDR3 dotée de la même bande passante brute. La tension du core était tombée à 1,5 V.

Adoption[modifier | modifier le code]

Cette mémoire est disponible sur les cartes video ATI Radeon HD X1950 XTX, 2900 XT, 2600 XT et une série limitée de SAPPHIRE Radeon HD 4670 équipées de 512 Mo de cette RAM. La GDDR4 est destinée à atteindre des vitesses supérieures à 1,4 GHz (2,8 GBit/s). Toutefois, Samsung avait pour but d'accroître l'efficacité GDDR4 à une vitesse supérieure à 1,6 GHz (3,2 GBit/s, à plus haute tension).