DDR4 SDRAM

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DDR4 SDRAM

La DDR4 SDRAM (Double Data Rate 4th generation Synchronous Dynamic Random Access Memory) est appelée à succéder à la DDR3 SDRAM. Elle est notamment mise en avant par les fabricant pour une consommation énergétique moindre par rapport à la version précédente. La plus basse fréquence d'horloge débutera à 2 133 MHz jusqu'au niveau maximal de 3,2 GHz pour une tension de 1 V.

Description[modifier | modifier le code]

La DDR4 SDRAM, qui est connue sous la forme simplifiée DDR4 (à ne pas confondre avec la GDDR4), est destinée à être progressivement utilisée dans les ordinateurs personnels commercialisés à partir de l'année 2014. La finalisation des spécifications a été annoncée en 2012, alors que la démocratisation au grand public n'était initialement attendue que vers 2015.

Les modules de DDR4 sont disponibles à une fréquence d'utilisation de 1 600 MHz pour la DDR4-3200[1]

Finalement, Samsung annonce la production en masse de ses premières barrettes DDR4 le 30 août 2013[2]

« DDR4 SDRAM » est un sigle anglais pour Double Data Rate 4th generation Synchronous Dynamic Random Access Memory, signifiant « Mémoire à Accès Direct (Aléatoire étant une traduction mot à mot, qui correspond à l’idée d’accès direct à une « case » mémoire d’adresse colonne+ligne) Dynamique Synchrone à Double Débit de Données de quatrième génération ». La DDR4 doit offrir des améliorations de performances tout en diminuant la consommation électrique. On passerait à des tensions comprises entre 1,2 V et 1,5 V. Et jusqu'à 1,05 V avec les versions basse consommation.

Le mois de février 2009, Samsung a réalisé le chip DRAM sur 40 nm, cela peut être considéré comme une étape importante vers le processus de développement de DDR4 SDRAM.

Au mois de janvier 2011, Samsung[3] annonce la réalisation d'un module mémoire DDR4 d'une capacité de 2 Go dont les puces sont gravées en 30 nm. Ce module a une bande passante maximale de 2,133 Gbit/s et fonctionne avec une tension de 1,2 V contre 1,5 V pour les modules DDR3. Cette baisse de tension couplée avec l'introduction de la technologie Pseudo open drain (POD) qui réduit de moitié le courant électrique nécessaire à la lecture et l'écriture des données, entraîne une réduction de 40 % de la consommation du module par rapport à un module DDR3 équivalent.

Vue d'ensemble[modifier | modifier le code]

Les premières barrettes fonctionneront selon Qimonda[4] à une fréquence de 2 133 MHz avec une tension de seulement 1,2 V contre 1,5 V pour la DDR3 et 1,8 V pour la DDR2. Elles pourraient atteindre 2 667 MHz avec une tension de seulement 1 V en 2015.

Modules standard DDR4 JEDEC[modifier | modifier le code]

Nom standard[5],[6]

 

Fréquence mémoire

(MHz)

Fréquence I/O bus

(MHz)

Débit

(MT/s)

Nom

 

Taux de transfert

(Mb/s)

Timings

(CL-tRCD-tRP)

CAS latency

(ns)

DDR4-1600J*
DDR4-1600K
DDR4-1600L
200 800 1600 PC4-1600 12800 10-10-10
11-11-11
12-12-12
12.5
13.75
15
DDR4-1866L*
DDR4-1866M
DDR4-1866N
233.33 933.33 1866.67 PC4-1866 14933.33 12-12-12
13-13-13
14-14-14
12.857
13.929
15
DDR4-2133N*
DDR4-2133P
DDR4-2133R
266.67 1066.67 2133.33 PC4-2133 17066.67 14-14-14
15-15-15
16-16-16
13.125
14.063
15
DDR4-2400P*
DDR4-2400R
DDR4-2400U
300 1200 2400 PC4-2400 19200 15-15-15
16-16-16
18-18-18
12.5
13.33
15

Notes et références[modifier | modifier le code]

Lien externe[modifier | modifier le code]