Triméthylgallium

Triméthylgallium
Structure du triméthylgallium
Identification
No CAS	1445-79-0
No ECHA	100.014.452
No CE	215-897-6
PubChem	15051
SMILES	C[Ga](C)C PubChem, vue 3D
InChI	Std. InChI : vue 3D InChI=1S/3CH3.Ga/h3*1H3; Std. InChIKey : XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N
Apparence	liquide incolore pyrophorique
Propriétés chimiques
Formule	C3H9Ga  [Isomères]
Masse molaire	114,827 ± 0,004 g/mol C 31,38 %, H 7,9 %, Ga 60,72 %,
Propriétés physiques
T° fusion	−15,8 °C
T° ébullition	92,5 °C
Masse volumique	1,132 g·cm-3 à 25 °C
Pression de vapeur saturante	19,3 kPa à 20 °C
Précautions
SGH
Danger H250, H260, H314, P280, P231+P232, P303+P361+P353, P305+P351+P338, P370+P378 et P422 H250 : S'enflamme spontanément au contact de l'air H260 : Dégage, au contact de l'eau, des gaz inflammables qui peuvent s'enflammer spontanément H314 : Provoque de graves brûlures de la peau et des lésions oculaires P280 : Porter des gants de protection/des vêtements de protection/un équipement de protection des yeux/du visage. P231+P232 : Manipuler sous gaz inerte. Protéger de l’humidité. P303+P361+P353 : En cas de contact avec la peau (ou les cheveux) : enlever immédiatement les vêtements contaminés. Rincer la peau à l’eau/se doucher. P305+P351+P338 : En cas de contact avec les yeux : rincer avec précaution à l’eau pendant plusieurs minutes. Enlever les lentilles de contact si la victime en porte et si elles peuvent être facilement enlevées. Continuer à rincer. P370+P378 : En cas d’incendie : utiliser … pour l’extinction. P422 : Stocker le contenu sous …
Transport
-    3394    Numéro ONU : 3394 : MATIÈRE ORGANO-MÉTALLIQUE LIQUIDE PYROPHORIQUE, HYDRORÉACTIVE Classe : 4.3 Étiquettes : 4.3 : Matières qui, au contact de l'eau, dégagent des gaz inflammables 4.2 : Matières sujettes à l'inflammation spontanée Emballage : Groupe d'emballage I : matières très dangereuses ;
Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.

Le triméthylgallium (TMG), Ga(CH₃)₃, est un composé organométallique à base de gallium. C'est la source organométallique préférée en gallium pour l'épitaxie organométallique en phase vapeur (MOVPE) des composés semi-conducteur contenant du gallium, comme l'arséniure de gallium (GaAs), le nitrure de gallium (GaN), le phosphure de gallium (GaP), l'antimoniure de gallium (GaSb), l'arséniure de gallium-indium (GaInAs), le nitrure de gallium-indium (InGaN), etc.

Le TMG est connu pour être pyrophorique, c.à.d. qu'il prend feu spontanément au contact de l'air. Même les solutions d'hydrocarbure de TMG, une fois suffisamment saturées, sont connues pour prendre feu spontanément au contact de l'air.

Le TMG est connu pour réagir violemment avec l'eau et d'autres composés capables de fournir un ion hydrogène libre actif (c'est-à-dire un proton). Par conséquent, le TMG doit être manipulé avec le soin et l'attention nécessaires, par exemple, entreposé dans un endroit frais et sec entre 0 °C et 25 °C, sous atmosphère inerte.

Utilisation

Dans la fabrication de semi-conducteurs, le triméthylgallium est utilisé en épitaxie en phase gazeuse dans le dépôt de couches de GaAs ou de GaN épitaxiées.