Séléniure d'indium(III)
| Séléniure d'indium(III) | |
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| __ In3+ __ Se2− Structure cristalline du séléniure d'indium(III) |
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| Identification | |
|---|---|
| No CAS | |
| No ECHA | 100.031.821 |
| No CE | 235-016-9 |
| PubChem | 6390731 |
| SMILES | |
| InChI | |
| Apparence | solide gris argenté indodore[1] |
| Propriétés chimiques | |
| Formule | In2Se3 |
| Masse molaire[2] | 466,52 ± 0,1 g/mol In 49,22 %, Se 50,78 %, |
| Propriétés physiques | |
| T° fusion | 960 °C[1] |
| Masse volumique | 5,67 g/cm3[1] |
| Précautions | |
| SGH[1] | |
   Danger |
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| Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |
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Le séléniure d'indium(III) est un composé chimique de formule In2Se3. Il se présente sous la forme d'un solide gris argenté à noir, assez mou, facilement soluble dans les acides forts[3]. On en connaît cinq phases notées α, β, γ, δ et κ dont les plus courantes sont les phases α et β, qui ont une structure lamellaire, tandis que la phase γ présente une structure cristalline wurtzite déficiente en indium. Cette dernière revêt un intérêt comme semiconducteur pour composants photovoltaïques, avec une largeur de bande interdite d'environ 1,9 eV[4].
La forme cristalline dépend de la méthode de croissance. Ainsi, des couches minces d'In2Se3 pur de structure γ ont été obtenues par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD) à partir de triméthylindium In(CH3)3 et de séléniure d'hydrogène H2Se[5].
Le séléniure d'indium bidimensionnel, c'est-à-dire n'ayant que quelques couches atomiques d'épaisseur, présente d'excellentes propriétés électroniques[6]. Sa sensibilité à l'air a conduit au développement de plusieurs techniques pour l'encapsuler afin de permettre son intégration aux composants électroniques[7].
Notes et références[modifier | modifier le code]
- « Fiche du composé Indium(III) selenide, 99.99% (metals basis) », sur Alfa Aesar (consulté le ).
- Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
- (de) Georg Brauer, en collaboration avec Marianne Baudler, Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie, 3e éd. révisée, vol. 1, Ferdinand Enke, Stuttgart 1975, p. 872. (ISBN 3-432-02328-6)
- (en) J. Jasinski, W. Swider, J. Washburn et Z. Liliental-Weber, « Crystal structure of κ-In2Se3 », Applied Physics Letters, vol. 81, no 23, , article no 4356 (DOI 10.1063/1.1526925, Bibcode 2002ApPhL..81.4356J, lire en ligne)
- (en) K. J. Chang, S. M. Lahn et J. Y. Chang, « Growth of single-phase In2Se3 by using metal organic chemical vapor deposition with dual-source precursors », Applied Physics Letters, vol. 89, no 18, , article no 182118 (DOI 10.1063/1.2382742, Bibcode 2006ApPhL..89r2118C, lire en ligne)
- (en) Himani Arora et Artur Erbe, « Recent progress in contact, mobility, and encapsulation engineering of InSe and GaSe », InfoMat, vol. 3, no 6, , p. 662-693 (DOI 10.1002/inf2.12160, lire en ligne)
- (en) Himani Arora, Younghun Jung, Tommaso Venanzi, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, René Hübner, Harald Schneider, Manfred Helm, James C. Hone et Artur Erbe, « Effective Hexagonal Boron Nitride Passivation of Few-Layered InSe and GaSe to Enhance Their Electronic and Optical Properties », ACS Applied Materials & Interfaces, vol. 11, no 46, , p. 43480-43487 (PMID 31651146, DOI 10.1021/acsami.9b13442, S2CID 204884014, lire en ligne)
