Antimoniure de gallium
| Antimoniure de gallium | |||
 __ Ga __ Sb Maille cristalline de l'antimoniure de gallium |
|||
| Identification | |||
|---|---|---|---|
| No CAS | |||
| No ECHA | 100.031.859 | ||
| No CE | 235-058-8 | ||
| PubChem | 6335277 | ||
| Propriétés chimiques | |||
| Formule | GaSb [Isomères] |
||
| Masse molaire[1] | 191,483 ± 0,002 g/mol Ga 36,41 %, Sb 63,59 %, |
||
| Propriétés physiques | |||
| T° fusion | 712 °C | ||
| Masse volumique | 5,61 g·cm-3[2] | ||
| Conductivité thermique | 0,32 W·cm-1·K-1 | ||
| Propriétés électroniques | |||
| Largeur de bande interdite | 0,726 eV à 300 K[3] | ||
| Mobilité électronique | 3 000 cm2·V-1·s-1[4] | ||
| Mobilité des trous | 1 000 cm2·V-1·s-1[4] | ||
| Propriétés optiques | |||
| Indice de réfraction | 3,8 | ||
| Précautions | |||
| SGH[5] | |||
  Attention |
|||
| Transport[5] | |||
|
|||
| Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |||
modifier  |
|||
L’antimoniure de gallium est un composé chimique de formule brute GaSb. Il s'agit d'un semiconducteur III-V diamagnétique[6] dont le paramètre de maille vaut 609,593 pm[2] et la largeur de bande interdite environ 0,726 eV, ce qui en fait un matériau privilégié pour la réalisation de photodétecteurs infrarouges, de diodes électroluminescentes infrarouges, voire de cellules thermophotovoltaïques.
Notes et références
- Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
- (en) Ioffe Physico-Technical Institute – New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties « GaSb – Gallium Antimonide. »
- (en) Ioffe Physico-Technical Institute – New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties « GaSb – Gallium Antimonide. »
- (en) Ioffe Physico-Technical Institute – New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties « GaSb – Gallium Antimonide. »
- SIGMA-ALDRICH
- (de) Georg Brauer, « Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie Band II » p. 862, Ferdinand Enke Verlag, Stuttgart, Allemagne, 1978. (ISBN 3-432-87813-3)
