Triméthylgallium

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Triméthylgallium
Triméthylgallium
Identification
Nom UICPA triméthylgallane
No CAS 1445-79-0
No EINECS 215-897-6
PubChem 15051
SMILES
InChI
Apparence liquide incolore
Propriétés chimiques
Formule brute C3H9Ga  [Isomères]
Masse molaire[1] 114,827 ± 0,004 g/mol
C 31,38 %, H 7,9 %, Ga 60,72 %,
Propriétés physiques
fusion −15 °C
ébullition 55,7 °C
Solubilité réagit violemment avec l'eau
Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.

Le triméthylgallium (TMG), Ga(CH3)3, est un composé organométallique à base de gallium. C'est la source organométallique préférée en gallium pour l'épitaxie organométallique en phase vapeur (MOVPE) des composés semi-conducteur contenant du gallium, comme l'arséniure de gallium (GaAs), le nitrure de gallium (GaN), le phosphure de gallium (GaP), l'antimoniure de gallium (GaSb), l'arséniure de gallium-indium (GaInAs), le nitrure de gallium-indium (InGaN), etc.

Le TMG est connu pour être pyrophorique, c.à.d. qu'il prend feu spontanément au contact de l'air. Même les solutions d'hydrocarbure de TMG, une fois suffisamment saturées, sont connues pour prendre feu spontanément au contact de l'air.

Le TMG est connu pour réagir violemment avec l'eau et d'autres composés capables de fournir un ion hydrogène libre actif (c'est-à-dire un proton). Par conséquent, le TMG doit être manipulé avec le soin et l'attention nécessaires, par exemple, entreposé dans un endroit frais et sec entre °C et 25 °C, sous atmosphère inerte[2].

Utilisation[modifier | modifier le code]

Dans la fabrication de semi-conducteurs, le triméthylgallium est utilisé en épitaxie en phase gazeuse dans le dépôt de couches de GaAs ou de GaN épitaxiées[3].

Notes et références[modifier | modifier le code]

  1. Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
  2. Journal of Crystal Growth (2004); DOI:doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007
  3. [1], air liquide, consulté le 7 septembre 2009

Article connexe[modifier | modifier le code]