Sulfure de gallium(II)

Identification
Sulfure de gallium(II)

Modèle boules et bâtons du sulfure de gallium(II)
Synonymes	Sulfure de gallium
N^o CAS	12024-10-1
N^o ECHA	100.031.522
PubChem	6370242
SMILES	S=[Ga] PubChem, vue 3D
InChI	Std. InChI : vue 3D InChI=1S/Ga.S Std. InChIKey : HLVRMBHKGAMNOI-UHFFFAOYSA-N
Apparence	Cristaux jaunes^{[réf. nécessaire]}
Propriétés chimiques
Formule	Ga S
Masse molaire^[1]	101,788 ± 0,006 g/mol Ga 68,5 %, S 31,5 %,
Susceptibilité magnétique	−23,0 × 10⁻⁶ cm³/mol^{[réf. nécessaire]}
Propriétés physiques
T° fusion	965 °C
Masse volumique	3,86 g cm⁻³^{[réf. nécessaire]}
Cristallographie
Système cristallin	hexagonal^{[réf. nécessaire]}
Symbole de Pearson	$hP8\,$
Classe cristalline ou groupe d’espace	P6₃/mmc, No. 194
Composés apparentés
Autres composés	Sulfure de gallium(III)

Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.
modifier

Le sulfure de gallium(II), GaS, est un composé chimique du gallium et du soufre. La forme normale du sulfure de gallium(II) préparé à partir des éléments simples a une structure en couche hexagonale contenant des unités Ga₂⁴⁺ qui ont une distance Ga-Ga de 248 pm^[2]. Cette structure en couche est similaire à celle de GaTe, GaSe et InSe^[2]. Une forme métastable inhabituelle, avec une structure wurtzite déformée produite par MOCVD a été signalée. Les précurseurs organométalliques étaient les di-tert-butyl gallium dithiocarbamates, par exemple Ga^tBu₂(S₂CNMe₂), le dépôt étant effectué sur du GaAs. La structure du GaS produit de cette façon est probablement Ga²⁺ S²⁻^[3].

Les mono-couches de sulfure de gallium sont des semi-conducteurs bidimensionnels dynamiquement stables, dans lesquels la bande de valence a une forme de chapeau mexicain inversé, conduisant à une transition de Lifshitz lorsque le dopage en trous est accru^[4].

Notes et références[modifier | modifier le code]

(en) Cet article est partiellement ou en totalité issu de l’article de Wikipédia en anglais intitulé « Gallium(II) sulfide » (voir la liste des auteurs).
WebElements

↑ Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
↑ ^{a et b} (en) Norman N. Greenwood et Alan Earnshaw, Chemistry of the Elements, Butterworth-Heinemann (en), 1997, 2^e éd. (ISBN 0080379419)
↑ MOCVD Growth of Gallium Sulfide Using Di-tert-butyl Gallium Dithiocarbamate Precursors: Formation of a Metastable Phase of GaS A. Keys, S G. Bott, A. R. Barron Chem. Mater., 11 (12), 3578 -3587, 1999. DOI 10.1021/cm9903632
↑ (en) V. Zolyomi, N. D. Drummond and V. I. Fal'ko, « Band structure and optical transitions in atomic layers of hexagonal gallium chalcogenides », Phys. Rev. B, vol. 87,‎ 2013, p. 195403 (DOI 10.1103/PhysRevB.87.195403, Bibcode 2013PhRvB..87s5403Z, arXiv 1302.6067)

Portail de la chimie

[1] Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.

[Greenwood-2] {a et b} (en) Norman N. Greenwood et Alan Earnshaw, Chemistry of the Elements, Butterworth-Heinemann (en), 1997, 2^e éd. (ISBN 0080379419)

[3] MOCVD Growth of Gallium Sulfide Using Di-tert-butyl Gallium Dithiocarbamate Precursors: Formation of a Metastable Phase of GaS A. Keys, S G. Bott, A. R. Barron Chem. Mater., 11 (12), 3578 -3587, 1999. DOI 10.1021/cm9903632

[4] (en) V. Zolyomi, N. D. Drummond and V. I. Fal'ko, « Band structure and optical transitions in atomic layers of hexagonal gallium chalcogenides », Phys. Rev. B, vol. 87,‎ 2013, p. 195403 (DOI 10.1103/PhysRevB.87.195403, Bibcode 2013PhRvB..87s5403Z, arXiv 1302.6067)

[1]

[2]

[3]

[4]