Triéthylgallium
Triéthylgallium | |||
Structure du triéthylgallium | |||
Identification | |||
---|---|---|---|
Nom UICPA | Triéthylgallane | ||
No CAS | |||
No ECHA | 100.012.939 | ||
No CE | 214-232-7 | ||
PubChem | 66198 | ||
SMILES | |||
InChI | |||
Propriétés chimiques | |||
Formule | C6H15Ga |
||
Masse molaire[1] | 156,906 ± 0,007 g/mol C 45,93 %, H 9,64 %, Ga 44,44 %, |
||
Propriétés physiques | |||
T° fusion | −82 °C[2] | ||
T° ébullition | 109 °C[2] à 40 kPa | ||
Masse volumique | 1,067 g·cm-3[2] à 25 °C | ||
Pression de vapeur saturante | 2,1 kPa[2] à 43 °C | ||
Précautions | |||
SGH[2] | |||
H250, H260, H314, P210, P280, P231+P232, P305+P351+P338, P370+P378 et P422 |
|||
Transport[2] | |||
|
|||
Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |||
modifier |
Le triéthylgallium, ou TEGa, est un composé chimique de formule (CH3CH2)3Ga, souvent écrite Ga(C2H5)3. C'est un composé organométallique de gallium utilisé par l'industrie des semiconducteurs à travers les techniques de MOCVD en remplacement du triméthylgallium Ga(CH3)3 car il laisse moins d'impuretés carbonées dans les couches épitaxiées[3]. Il se présente sous la forme d'un liquide incolore visqueux et pyrophorique[4] à l'odeur douceâtre qui se décompose au contact de l'eau. Ses molécules existent sous forme de monomères en phase gazeuse et en solution dans le benzène et l'éther de pétrole.
Comme le triméthylgallium, il peut être obtenu à partir d'organomercuriels tels que le diéthylmercure Hg(CH2CH3)2.
Il peut également être préparé à partir du trichlorure de gallium GaCl3 par réaction avec du triéthylaluminium Al2(C2H5)6 et du chlorure de potassium KCl.
Notes et références
[modifier | modifier le code]- Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
- Fiche Sigma-Aldrich du composé Triethylgallium, consultée le 24 novembre 2018.
- (en) A. Saxler, D. Walker, P. Kung, X. Zhang et M. Razeghi, « Comparison of trimethylgallium and triethylgallium for the growth of GaN », Applied Physics Letters, vol. 71, no 22, , p. 3272-3274 (DOI 10.1063/1.120310, Bibcode 1997ApPhL..71.3272S, lire en ligne)
- (en) Deodatta V. Shenai-Khatkhate, Randall J. Goyette, Ronald L. DiCarlo Jr. et Gregory Dripps, « Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors », Journal of Crystal Growth, vol. 272, nos 1-4, , p. 816-821 (DOI 10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007, Bibcode 2004JCrGr.272..816S, lire en ligne)