Utilisateur:Tchai/Brouillon
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Brouillon à usage personnel[modifier | modifier le code]
fischertechnik[modifier | modifier le code]
fischertechnik est à la fois un jeu de construction pour enfants et un outil pour la formation technique et la recherche. Les boîtes sont constituées de briques de base en plastique et d'autres éléments comme des axes, des moteurs, des roues dentées, des capteurs.
Les boîtes sont fabriquées exclusivement en Allemagne par fischertechnik GmbH.
Notes et références[modifier | modifier le code]
- (de) Cet article est partiellement ou en totalité issu de l’article de Wikipédia en allemand intitulé « Fischertechnik » (voir la liste des auteurs).
Mémoire à changement de phase[modifier | modifier le code]
Comparaison avec les mémoires flash[modifier | modifier le code]
Les principaux avantages des PRAMs sont le temps de basculement plus court, et le passage à l'échelle facile. L'inconvénient majeur est probablement la sensibilité à la température, qui peut nécessiter de revoir le processus de fabrication pour les utilisateur de cette technologie.
Les mémoires flash fonctionnent par une modification de la charge (électrons) accumulée dans la grille d'un MOSFET. La grille est construite avec une « pile » spéciale conçue pour emprisonner les charges. La présence de charge à l'intérieur de la grille modifie la tension de seuil dans un sens ou dans l'autre, ce qui correspond à un 1 ou un 0. Modifier l'état du bit nécessite de supprimer la charge accumulée, ce qui demande une tension relativement importante pour « aspirer » les électrons en dehors de la grille flottante. Cette tension est fournie par un convertisseur à pompe de charge qui a besoin de temps pour accumuler de l'énergie. Le temps d'écriture typique d'une mémoire flash ordinaire est de l'ordre de 0,1 ms (pour un bloc de donnée), c'est-à-dire 10000 fois le temps de lecture typique de 10 ns (pour un octet).
Les PRAMs peuvent offrir des performances plus élevées pour les applications où il est important d'écrire rapidement, à la fois parce que les éléments de mémoire peuvent être basculés plus rapidement, et parce que des bits isolés peuvent êtres changés en 0 ou en 1 sans avoir à effacer une bloc entier de cellules au préalable. Les performances élevées des PRAMs, des milliers de fois plus rapides que les disques durs courants, les rendent particulièrement intéressantes pour les applications où les mémoires non volatiles qui sont limités par les temps d'accès.
De plus, avec les flash, tension imposée aux cellule pour l'effacement provoque des dégâts. Quand la taille des cellules diminue, les dégâts causés par la programmation s'aggravent, parce que la tension nécessaire ne passe pas à l'échelle. La plupart des systèmes de flash sont évalués actuellement pour seulement 5000 écritures par secteur, et la plupart des contrôleurs de flash mettent en œuvre le wear leveling pour répartir les écritures sur plusieurs secteurs physiques.
Les PRAM se dégradent aussi à l'usage, pour des raisons différentes des flash, mais se dégradent plus lentement. Un équipement PRAM peut supporter autour de 100 millions de cycle d'écriture.[1]
Notes et références[modifier | modifier le code]
- (en) Cet article est partiellement ou en totalité issu de l’article de Wikipédia en anglais intitulé « Phase-change memory » (voir la liste des auteurs).