Utilisateur:Olivier DUCHEMIN/Brouillon

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Présentation

Jean-Pascal DUCHEMIN, Ph.D

Né en 1945, ingénieur chimiste de l'Ecole nationale supérieure de chimie de Caen, rejoint en 1970 le département microélectonique hyperfréquence de Thomson-CSF à sa création, en tant que responsable de l'épitaxie du silicium. Il achève et soutient en 1976 une thèse de doctorat d'Etat préparée de façon extra professionnelle avec les moyens du département, puis crée, en 1978 un laboratoire d'épitaxie en phase gazeuse au sein du Laboratoire central de recherches de Thomson-CSF. Il se voit confier en 1980 la responsabilité d'un groupe de laboratoires au sein du Laboratoire central de recherches de Thomson-CSF et prend en 1987, la responsabilité du Front end des composants optoélectroniques à la division hybrides microondes. Il devient, en 1988, directeur des opérations du département arsénieure de gallium à Thomson Hybrides et Microondes. Il est Lauréat du grand prix de l'électronique du Général Ferrié en 1987.

Sujet des Recherches et Travaux

MOCVD Epitaxy, III-V compound semiconductors optoelectronic

Publications

Jean-Pascal Duchemin's list of publications

1970, 1980, 1990, 2000

1) J.P. DUCHEMIN : Etude des processus de dépôt du silicium en phase gazeuse, Revue Thomson-CSF, Vol 9, n° 1, Mars 1977

2) J.P. DUCHEMIN : Etude cinétique de l'incorporation d'impuretés durant la croissance épitaxiale du silicium, Revue Thomson-CSF Vol. 9, n°2, Juin 1977

3) J.P. DUCHEMIN, M. BONNET et D. HUYGHE : Une nouvelle technique de croissance de couches ultraminces d'arséniure de gallium par cracking de composés organométalliques sous pression réduite, Revue Thomson-CSF, Vol 9, N° 4, Décembre 1977

4) J.P. DUCHEMIN, M. BONNET, F. KOELSH and D. HUYGHE : A new method of growing Silicon by low pressure epitaxy - J. Electrochemical. Soc. 125, 637 (1978)

5) J.P. DUCHEMIN, M. BONNET, F. KOELSCH and D. HUYGHE : A new method of growing GaAs epilayers by low pressure MOCVD - J. Electrochemical. Soc. 126 - 1134 (1978)

6) J.P. DUCHEMIN, M. BONNET, F. KOELSCH and D. HUYGHE : A new method of growing thin GaAs epilayers - J. Cryst. Growth 45 - p.181 (1978)

7) J.P. DUCHEMIN, M. BONNET, F. KOELSCH and D. HUYGHE : A new method for growing GaAs epilayers by low pressure organometallics - Journal of the Electrochemical. Society, Vol 126 n°7 - (July 1979)

8) J.P. DUCHEMIN, M. BONNET, G. BEUCHET and F. KOELSCH : Growth of device quality InP epilayers by low pressure MOCVD. In Proc 7 th Intern. Symp. on GaAs and related Compounds St. Louis 1978, Inst. Phys. Conf. Ser.45, Inst. Physics London 1979 p. 10.

9) J.P. HIRTZ, BUI DINH-VUONG, J.P. DUCHEMIN, P. HIRTZ, B. de CREMOUX, R. BISERO and P. MERANDA - LCR M. BONNET, E. DUDA, G. MESQUIDA, and J.C. CARBALLES - D.M.H. : A low beam divergence Cw (GaAlAs) double heterostructure laser grown by low-pressure metallorganic chemical vapour deposition process - Applied Physics Letters Vol. N°36, Number 10, pp. 795-796, May 1980

10) J.P. HIRTZ, J.P. DUCHEMIN, P. HIRTZ, B. de CREMOUX, T. PEARSAL and M. BONNET : The first low pressure M.O.C.V.D. grown laser operating at 1.15 microns - Electron. Letters 16 (1980) 275

11) M. RAZEGHI, J.P. HIRTZ, P. HIRTZ, J.P. LARIVAIN, R. BLONDEAU, B. de CREMOUX and J.P. DUCHEMIN : Room temperature CW operation of GaInAsP-InP DH diode lasers emitting at 1.23 microns grown by LP-MOCVD - Electronics Letters, 17, 597 - 598 (1981)

12) M. RAZEGHI, P. HIRTZ, J.P. LARIVAIN, R. BLONDEAU, B. de CREMOUX and J.P. DUCHEMIN : 1.5 microns room-temperature pulsed operation of GaInAsP DH grown by LP-MOCVD - Electronics Letters, 17, 643 - 644 (1981)

13) J.P. DUCHEMIN, M. RAZEGHI, J.P. HIRTZ, M. BONNET : The LP-MOCVD growth of InP and GaInAsP alloys - Inst. Phys. Conf. Ser., 63, 89-93 (1981)

14) J.P. DUCHEMIN, J.P. HIRTZ, M. RAZEGHI, M. BONNET, S. HERSEE : GaInAs and GaInAsP materials grown by LP-MOCVD for microwave and optoelectronic applications - J. Crystal Growth, 55, 64-73 (1981)

15) J.P. HIRTZ, J.P. LARIVAIN, D. LEGUEN, M. RAZEGHI, J.P. DUCHEMIN : LP-MOCVD of GaInAsP on InP substrates - Inst. Phys. Conf. Ser., 56, Chapter 1, 29-35 (1981)

16) J.P. HIRTZ, M. RAZEGHI, J.P. LARIVAIN, S. HERSEE, J.P. DUCHEMIN : Low threshold GaInAsP-InP lasers with good temperature dependence grown by LP-MOCVD - J. Electronic Letters, 17, 3, 113-115 (1981)

17) J.P. DUCHEMIN : Low pressure CVD of III-V compounds Journal of Vacuum Science and Technology, Vol. 8, Number 3, April 1981, pp. 753-755.

18) S.D. HERSEE, M.A. di FORTE-POISSON, M. BALDY and J.P. DUCHEMIN : A new approach to the gettering of oxygen during the growth of GaAlAs by Low-Pressure MOCVD - Journal of Crystal Growth 55 pp. 53-57 (1981)

19) J.P. DUCHEMIN, J.P. HIRTZ, M. RAZEGHI, M. BONNET and S. HERSEE: GaInAs and GaInAsP materials grown by low pressure MOCVD for microwave and optoelectronic applications - Vol. 55, N°1, October 1981, pp. 64-73

20) M. RAZEGHI, M.A. POISSON, P. HIRTZ, B. de CREMOUX, and J.P. DUCHEMIN : GaInAs-InP superlattice grown by LP-MOCVD - 23-25 June EMC 1982 U.S.A. COLORADO

21) M. RAZEGHI, M.A. POISSON, J.P. LARIVAIN, B. de CREMOUX and J.P. DUCHEMIN : TEG in LP-MOCVD Ga 0.47 In 0.53 As-InP supperlattice - Electronics Letters, 18, 339-340, (1982)

22) M . RAZEGHI, P. HIRTZ, R. BLONDEAU, J.P. LARIVAIN, L. NOEL, B. De CREMOUX and J.P. DUCHEMIN : Room temperature CW operation of GaInAsP DH diode lasers emitting at 1.5 microns grown by LP-MOCVD - Electronics Letters, 18, 132-133 (1982)

23) J.P. HIRTZ, M. RAZEGHI, M. BONNET, J.P. DUCHEMIN : GaInAs/InP and GaInAsP/InP DH grown by LP-MOCVD GaInAsP alloy semiconductors, 61-85, chapter 3 , (1982) - Edited by T.P. PEARSAL, John WILEY & SONS, New York

24) J.P. DUCHEMIN, B. de CREMOUX, and N.T. LINH : Croissance des matériaux pour opto-électronique - Revue technique Thomson-CSF, Vol.14, n°2 Juin 1982

25) M. BONNET, N. VISENTIN, B. GOUTERAUX, B. LENT, J.P. DUCHEMIN : Homogeneity of LEC semi-insulating GaAs wafers for IC applications - GaAs Ic Symposium, New-Orleans (1982)

26) B. LENT, M. BONNET, N. VISENTIN, J.P. DUCHEMIN : The growth of semi-insulating gallium arsenide by the LEC process - Microelectronics Journal Vol. 13, N° 1, p 5 (1982)

27) M. RAZEGHI and J.P. DUCHEMIN : Low pressure MOCVD growth of Ga 0.47 In 0.53 As - InP heterojonction and super-lattices - J. Vacuum Science Technology B1, 262, (1983)

28) M. RAZEGHI, M.A. POISSON, J.P. LARIVAIN, J.P. DUCHEMIN : LP-MOCVD of InP and related compounds - J. of Electronic Materials 12, 371-395, (1983)

29) M. RAZEGHI, P. HIRTZ, R. BLONDEAU, B. de CREMOUX and J.P. DUCHEMIN : Aging test of MOCVD shallow proton stripe GaInAsP - InP DH laser diode emitting at 1.5 microns - Electronic Letters, 19, 481-483, (1983)

30) M. RAZEGHI, S. HERSEE, P. HIRTZ, R. BLONDEAU, and J.P. DUCHEMIN : Very low threshold GaInAsP-InP, DH lasers grown by LP-MOCVD - Electronic Letters 19, 336-337, (1983)

31) J.P. DUCHEMIN, S. HERSEE, M. RAZEGHI, and M.A. POISSON : Metal organic chemical vapour deposition - Summer school Sicilia Italy (1983)

32) M.A. di FORTE-POISSON, M. RAZEGHI, and J.P. DUCHEMIN : MOCVD of undoped In 1-x Al x As on InP - J. Appl. Phys. 54, 7187-7189 (1983)

33) M. RAZEGHI and J.P. DUCHEMIN : Growth and characterization of InP using LP-MOCVD - J; Crystal Growth 64, 76, 82 (1983)

34) P.N. FAVENNEC and M. SALVI ICM/TOH, CNET Lannion M.A. di FORTE POISSON and J.P. DUCHEMIN, Thomson CSF, LCR : Selected area growth of InP by low pressure metalorganic chemical vapour deposition on ion implanted InP substrates - Applied Physics Letters, Vol 43, pp 771-773, N° 8, (1983)

35) M. RAZEGHI, B. De CREMOUX and J.P. DUCHEMIN : 1.2 - 1.6 microns GaInAsP - InP DH laser grown by LP-MOCVD - J. Crystal Growth 68, 389-397 (1984)

36) M. RAZEGHI, J.C. PORTAL, and J.P. DUCHEMIN : TDEG in GaInAsP-InP SQW, MQW, and super-lattices - J. Appl. Physics (1984)

37) M. RAZEGHI, J.C. BOULEY, K. KAZMIERSKI, M. PAPUCHON, B. de CREMOUX and J.P. DUCHEMIN : LP-MOCVD growth of single longitudinal mode semiconductor 1.5 microns DFB lasers - 9th International Semiconductor Laser Conference Rio de Janeiro- Brazil, 7 October (1984)

38) M. RAZEGHI and J.P. DUCHEMIN : MOCVD growth for heterostructures and Two-Dimentional - Electronic Systems - Springer series in Solid-State Science 53, 100-113, Two Dimentional Systems, Heterostructures and super-lattices. Editors : G. Bauer, F. Huchar and H. Heinrich, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo (1984)

39) R. BLONDEAU, M. RAZEGHI, G. VILAIN, B. de CREMOUX and J.P. Duchemin : CW operation of GaInAsP BRS laser at 1.5 microns grown by LP-MOCVD - Electronic Lett. 20, 850-851 (1984)

40) M. RAZEGHI, R. BLONDEAU, and J.P. DUCHEMIN : 1.3 microns GaInAsP-InP laser grown by LP-MOCVD on GaAs substrate - In proceeding of the 11th GaAs Conference Biarritz (1984)

41) M. RAZEGHI, R. BLONDEAU, G. VILAIN, B. de CREMOUX and J.P. DUCHEMIN : CW operation of GaInAsP BRS laser at 1.5 microns grown by LP-MOCVD - Electronic Lett. 20, 850 (1984)

42) M. RAZEGHI, R. BLONDEAU, J.C. BOULEY, B. de CREMOUX and J.P. DUCHEMIN - LP-MOCVD growth and cw operation of high quality SLM and DFB semiconductors GaInAsP - InP lasers. In proceeding of the 11th GaAs Conference Biarritz (1984)

43) M.A. di FORTE-POISSON, C. BRYLINSKI, G. COLOMER, J.P. DUCHEMIN, F. AZAN, J. LACOMBE and al : High Power, High efficiency LP-MOCVD InP Gunn Diodes, Electronics Letters, Vol 20, N° 25/26 pp 1061-1062 (1984)

44) M. RAZEGHI, R. BLONDEAU, B. de CREMOUX, and J.P. DUCHEMIN : Very low threshold BRS lasers emitting at 1.3 microns - growth by LP-MOCVD - Appl. Phys. Lett. 46, 131, (1985)

45) M. RAZEGHI, J.P. DUCHEMIN, and J.C. PORTAL - IDEG in GaInAsP-InP layers grown by LP-MOCVD - Appl. Lett. 46, 46 (1985)

46) M. RAZEGHI, and J.P. DUCHEMIN : Recent advances in MOCVD growth of GaInAsP alloys - J. Crystal growth 70 (1985)

47) P. CORREC, J. LANDREAU, J.C. BOULEY, M. RAZEGHI, R. BLONDEAU, K. KAZMIERSKI, B. de CREMOUX and J.P. DUCHEMIN : 1.55 microns BH-DFB lasers grown by LP-MOCVD SPIE Vol. 587, 3 (1985)

48) M.A. di FORTE POISSON, C. BRYLINSKI, J.P. DUCHEMIN : Growth of Ultrapure and Si-doped InP by Low-Pressure Metal-Organic Chemical Vapour Deposition - Applied Physics Letters, Vol 46, N° (1985)

49) M. RAZEGHI, J.P. DUCHEMIN, J.C. PORTAL, R.J. NICHOLAS, and L. DMOWSKI : First observation of the QHE ina GaInAs-InP heterostructure with three electric subbands - Appl. Phys. Lett., 48, 721 (1986)

50) M. RAZEGHI, R. BLONDEAU, M. KRAKOWSKI, B. de CREMOUX, and J.P. DUCHEMIN - First phase-locked high power laser of GaInAsP-InP emitting at 1.3microns gown by LP-MOCVD - 13th International Conference of GaAs and related compounds, Las Vegas, 29 september-2October (1986)

51) M. RAZEGHI, R. BLONDEAU, M. KRAKOWSKI, J.C.BOULEY, M. PAPUCHON, B. de CREMOUX and J.P. DUCHEMIN - Low threshold distributed feedback lasers fabricated on material grown completely by MOCVD - IEEE of Quantum Electronics, Vol. QE- 21, n°6, 507-511 (1986)

52) M.A. di FORTE POISSON, C. BRYLINSKI, J. di PERSIO et J.P. DUCHEMIN : Epitaxie MO-CVD des matériaux InP, GaInAs et de l'hétérostructure GaInAs/InP, Journée d'étude sur l'Epitaxie et la passivation des composés III-V, Le Vide, les couches minces, Vol 41, N° 231, Mars-Avril 1986

53) R. CASTAGNE, J.P. DUCHEMIN, M. GLOANEC, Ch. RUMELHARD : CNET -ENST, Collection technique et scientifique des telecommunications CIRCUITS INTEGRES EN ARSENIURE DE GALLIUM, physique, technologie et règles de conception, MASSON (1989)

54) J.P. VILCOT, J. HASARI, D.J. DECOSTER, IEMN, France ; J.C. RENAUD, F.A. DEBORGIES, Y. COMBEMALE, R.R. BLONDEAU, J.P. DUCHEMIN : High efficiency, high speed, 60 GHz InGaP multimode waveguide photo detectors - Photonics West conference 2999 February 1997 Procceding Vol 2999

55) Conference Chairs : Gail BROWN, Manijeh RAZEGHI, Program committee …J.P. DUCHEMIN,… : Photodetectors Materials and devices - Photonics West Conference 2995, (January 1997)

56) Conference Chairs : Gail BROWN, Manijeh RAZEGHI, Program committee …J.P. DUCHEMIN,… : Photodetectors Materials and devices Photonics West 2999 (January 2000)

57) Ch. BRYLINSKI, S. DELAGE, J.P. DUCHEMIN : Composants Electroniques de Puissance hyperfréquences pour l'Electronique de Défense, RSTD, Revue Scientifique et Technique de la Défence : Thales et la Recherche pp 153 - 163

58) Sous la direction de J.P. DUCHEMIN, J.P. GANNE, F. GAUTIER, T. LEMOINE, J.L. MEYSONNETTE, A. PASCAUD : Electronique, Techniques de l'Ingénieur 249 rue de Crimée 75925 (2002)