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Sulfure de gallium(II)

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Sulfure de gallium(II)
Image illustrative de l’article Sulfure de gallium(II)
Modèle boules et bâtons du sulfure de gallium(II)
Identification
Synonymes

Sulfure de gallium

No CAS 12024-10-1
No ECHA 100.031.522
PubChem 6370242
SMILES
InChI
Apparence Cristaux jaunes[réf. nécessaire]
Propriétés chimiques
Formule GaS
Masse molaire[1] 101,788 ± 0,006 g/mol
Ga 68,5 %, S 31,5 %,
Susceptibilité magnétique −23,0 × 10−6 cm3/mol[réf. nécessaire]
Propriétés physiques
fusion 965 °C
Masse volumique 3,86 g cm−3[réf. nécessaire]
Cristallographie
Système cristallin hexagonal[réf. nécessaire]
Symbole de Pearson Échec de l’analyse (SVG (MathML peut être activé via une extension du navigateur) : réponse non valide(« Math extension cannot connect to Restbase. ») du serveur « http://localhost:6011/fr.wikipedia.org/v1/ » :): {\displaystyle hP8\, }
Classe cristalline ou groupe d’espace P63/mmc, No. 194
Composés apparentés
Autres composés

Sulfure de gallium(III)


Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.

Le sulfure de gallium(II), GaS, est un composé chimique du gallium et du soufre. La forme normale du sulfure de gallium(II) préparé à partir des éléments simples a une structure en couche hexagonale contenant des unités Ga24+ qui ont une distance Ga-Ga de 248 pm[2]. Cette structure en couche est similaire à celle de GaTe, GaSe et InSe[2]. Une forme métastable inhabituelle, avec une structure wurtzite déformée produite par MOCVD a été signalée. Les précurseurs organométalliques étaient les di-tert-butyl gallium dithiocarbamates, par exemple GatBu2(S2CNMe2), le dépôt étant effectué sur du GaAs. La structure du GaS produit de cette façon est probablement Ga2+ S2−[3].

Les mono-couches de sulfure de gallium sont des semi-conducteurs bidimensionnels dynamiquement stables, dans lesquels la bande de valence a une forme de chapeau mexicain inversé, conduisant à une transition de Lifshitz lorsque le dopage en trous est accru[4].

Notes et références

  1. Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
  2. a et b (en) Norman N. Greenwood et Alan Earnshaw, Chemistry of the Elements, Butterworth-Heinemann (en), , 2e éd. (ISBN 0080379419)
  3. MOCVD Growth of Gallium Sulfide Using Di-tert-butyl Gallium Dithiocarbamate Precursors: Formation of a Metastable Phase of GaS A. Keys, S G. Bott, A. R. Barron Chem. Mater., 11 (12), 3578 -3587, 1999. DOI 10.1021/cm9903632
  4. (en) V. Zolyomi, N. D. Drummond and V. I. Fal'ko, « Band structure and optical transitions in atomic layers of hexagonal gallium chalcogenides », Phys. Rev. B, vol. 87,‎ , p. 195403 (DOI 10.1103/PhysRevB.87.195403, Bibcode 2013PhRvB..87s5403Z, arXiv 1302.6067)