Acétylacétonate de gallium
| Acétylacétonate de gallium | |
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| Structure de l'acétylacétonate de gallium | |
| Identification | |
|---|---|
| Nom UICPA | (Z)-4-bis{[(Z)-4-oxopent-2-én-2-yl]oxy}gallanyloxypent-3-én-2-one |
| Nom systématique | tris(acétylacétonato)gallium(III) |
| Synonymes |
tris(2,4-pentanedionato)gallium(III) |
| No CAS | |
| No ECHA | 100.034.873 |
| No CE | 238-377-0 |
| PubChem | 16717626 |
| SMILES | |
| InChI | |
| Apparence | solide inodore[1] |
| Propriétés chimiques | |
| Formule | C15H21GaO6 |
| Masse molaire[2] | 367,047 ± 0,016 g/mol C 49,08 %, H 5,77 %, Ga 19 %, O 26,15 %, |
| Propriétés physiques | |
| T° fusion | 196 à 198 °C[1] |
| Masse volumique | 1,42 g/cm3[1] à 20 °C |
| Précautions | |
| SGH[1] | |
  Attention |
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| NFPA 704[1] | |
| Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |
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L’acétylacétonate de gallium est un composé chimique de formule Ga(C5H7O2)3, parfois abrégé Ga(acac)3, où (acac) représente un ligand acétylacétonate C5H7O2−. Il s'agit d'un complexe de coordination du gallium à l'état d'oxydation +3 présentant une symétrie moléculaire D3 isomorphe des autres tris(acétylacétonate)s octaédriques[3].
Il est possible de déposer des couches minces d'oxyde de gallium(III) Ga2O3 par atomic layer deposition en associant de l'acétylacétonate de gallium Ga(C5H7O2)3 avec de l'eau H2O ou de l'ozone O3 comme précurseurs[4]. Ga(C5H7O2)3 peut également être utilisé avec l'ammoniac NH3 pour la croissance à basse température de nanofils de nitrure de gallium de haute pureté[5],[6].
Notes et références
[modifier | modifier le code]- « Fiche du composé Gallium(III) 2,4-pentanedionate, 99.99% (metals basis) », sur Alfa Aesar (consulté le ).
- Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
- (en) K. Dymock et G. J. Palenik, « Tris(acetylacetonato)gallium(III) », Acta Crystallographica Section B, vol. 30, no 5, , p. 1364-1366 (DOI 10.1107/S0567740874004833, lire en ligne).
- (en) Minna Nieminen, Lauri Niinistö et Eero Rauhala, « Growth of gallium oxide thin films from gallium acetylacetonate by atomic layer epitaxy », Journal of Materials Chemistry, vol. 6, , p. 27-31 (DOI 10.1039/jm9960600027, lire en ligne).
- (en) Ko-Wei Chang et Jih-Jen Wu, « Low-Temperature Catalytic Synthesis of Gallium Nitride Nanowires », The Journal of Physical Chemistry B, vol. 106, no 32, , p. 7796-7799 (DOI 10.1021/jp026152t, lire en ligne).
- (en) K.-W. Chang et J.-J. Wu, « Temperature-controlled catalytic growth of one-dimensional gallium nitride nanostructures using a gallium organometallic precursor », Applied Physics A Materials Science & Processing, vol. 77, no 6, , p. 769-774 (DOI 10.1007/s00339-003-2229-y, Bibcode 2003ApPhA..77..769C, lire en ligne).
