Diode Gunn

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Une diode Gunn est un type de diode utilisée en électronique supra haute fréquence et extrêmement haute fréquence.

Cette diode exploite l’effet Gunn se produisant dans des semi-conducteurs, en particulier le GaAs. Contrairement à la diode P-N constituée de deux parties semi-conductrices, l'une dopée en accepteur (dopage de type P) et l'autre en donneur d'électron (type N), la diode Gunn ne nécessite qu'un seul type de dopage de type N. Dans une diode Gunn, trois régions existent, deux d'entre elles, proches des connexions, sont fortement dopées (N++), la fine partie centrale est quant à elle faiblement dopée (N-).

Le comportement de résistance différentielle négative est la conséquence de l'apparition et l'augmentation d'une transition intervallée des électrons de conduction à mesure que la tension de la diode augmente. Cette transition est défavorable à la vitesse de dérive des électrons, ce qui provoque la chute du courant. La transition s'estompe à plus forte tension et le comportement de résistance différentielle négative aussi.

La résistance négative associée avec les propriétés de la couche intermédiaire, permet la construction d'un oscillateur simplement en appliquant un courant convenable au composant. La fréquence d'oscillation étant déterminée en partie par la couche centrale, mais pouvant être ajustée par des facteurs externes. Les diodes Gunn sont utilisées dans la construction d'oscillateurs à partir de 10 GHz, une cavité résonante est souvent utilisée pour accorder l'oscillateur.

La diode à effet tunnel montre un comportement de résistance différentielle négative similaire, mais l'effet Gunn et l'effet tunnel sont différents.

Voir aussi[modifier | modifier le code]