Silicium-germanium
| Silicium-germanium | |
| Identification | |
|---|---|
| Nom UICPA | Silicium-germanium |
| Propriétés chimiques | |
| Formule | GexSi1-x |
| Cristallographie | |
| Structure type | blende |
| Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |
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Les alliages silicium-germanium forment une famille de composés de formule GexSi1-x, utilisés en tant que semi-conducteurs dans des transistors.
Ces alliages possèdent également de bonnes caractéristiques thermoélectriques aux hautes températures (au-dessus de 1 000 K) et sont notamment utilisés pour la génération d’électricité dans le domaine spatial[1],[2]. Ce sont par exemple des alliages de ce type qui sont utilisés pour l'alimentation en électricité (en) des sondes Voyager.
Article connexe
Notes et références
- (en) B. Abeles, D. S. Beers, G. D. Cody et J. P. Dismukes, « Thermal conductivity of Ge-Si alloys at high temperatures », Physical Review, vol. 125, no 1, , p. 44-46.
- (en) O. Yamashita et N. Sadatomi, « Thermoelectric properties of Si1-xGex (x<0.10) with alloy and dopant segregations », Journal of Applied Physics, vol. 88, no 1, , p. 245-252.
