Recuit thermique rapide
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Le procédé de recuit rapide (sigle RTA en anglais[1]) est un procédé de fabrication qui porte le wafer de silicium à haute température (jusqu'à 1 200 °C ou plus) dans un temps très court, quelques secondes.
Procédé
Les wafers doivent être redescendus en température assez lentement, sinon ils se brisent à cause du choc thermique. De telles montées en température sont obtenues par des lampes à haute intensité ou par chauffage laser. Ces procédés sont utilisés dans une large variété d'applications dans la fabrication de semi-conducteurs incluant l'activation des dopants, l'oxydation thermique, la mise en forme de métaux et le dépôt par voie chimique.
Notes et références
- (en)Recuit thermique rapide, RTP et RTA, sur crystec.com, consulté le 19 septembre 2016.
