Electron beam-induced deposition

Un article de Wikipédia, l'encyclopédie libre.
Aller à : navigation, rechercher

La croissance assistée par faisceau d'électrons (en anglais Electron beam-induced deposition (EBID)) est un procédé de décomposition, induite par un faisceau d'électrons, de molécules gazeuses adsorbées sur un substrat. La résultante en est un dépôt solide constitué des fragments non volatiles de la molécule de précurseur. Le faisceau d'électrons, s'il provient d'un microscope électronique à balayage ou à transmission (scanning electron microscope) peut permettre la réalisation de structures à haute résolution spatiale (diamètre inférieur au nanomètre), ou des structures tridimensionnelles.

Procédé[modifier | modifier le code]

Mécanisme de croissance[modifier | modifier le code]

Résolution spatiale[modifier | modifier le code]

Matériaux et précurseurs[modifier | modifier le code]

Avantages[modifier | modifier le code]

Inconvénients[modifier | modifier le code]

Croissance induite par faisceau d'ions[modifier | modifier le code]

Formes[modifier | modifier le code]

Voir aussi[modifier | modifier le code]

Références[modifier | modifier le code]

Livres et documents en ligne[modifier | modifier le code]

Liens externes (en anglais)[modifier | modifier le code]