Collecteur commun

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Un amplificateur à collecteur commun.

En électronique, un collecteur commun ou émetteur suiveur est un type d’amplificateur électronique utilisant un transistor bipolaire. L’expression de collecteur commun vient du fait que l’électrode « collecteur » du transistor est reliée à l’alimentation. Dans ce montage, la base du transistor sert d’entrée ; le collecteur est relié à un « rail » d’alimentation ou à la masse ; l’émetteur est relié à la charge à piloter. L'expression d’émetteur suiveur vient du fait que la sortie reliée à l’émetteur suit quasiment le signal d’entrée appliqué à la base.


Le montage à collecteur commun possède un gain en tension proche de l'unité. Cela signifie que les signaux alternatifs présents à son entrée se retrouveront de façon presque identique en sortie — si la charge reliée à la sortie n'est pas trop importante. Le gain en courant de ce montage dépend fortement du hFE du transistor. Un petit changement du courant d’entrée entraîne un changement plus important du courant fourni à la charge reliée à la sortie. Ainsi un montage possédant un faible courant maximum de sortie peut être utilisé pour piloter une charge de faible impédance par l'intermédiaire d'un amplificateur à collecteur commun. Ce montage est généralement utilisé comme étage de sortie dans les amplificateurs de classes B et AB. La polarisation du transistor est alors modifiée pour qu'il fonctionne en classe B ou AB. Dans le cas d'un fonctionnement en classe A, la résistance de sortie est parfois remplacée par une source de courant active afin d'améliorer la linéarité et/ou augmenter le rendement. Voir [1].

Caractéristiques en petits signaux[modifier | modifier le code]

Remarque 
Les segments parallèles indiquent que les composants de part et d'autre sont disposés en parallèle.

Gain en tension[modifier | modifier le code]


{V_\mathrm{out} \over V_\mathrm{in}} = {(1 + \beta_0)(R_\mathrm{E} \| R_\mathrm{load}) \over r_\pi + (1 + \beta_0) (R_\mathrm{E} \| R_\mathrm{load})}

Résistance d'entrée[modifier | modifier le code]


r_\mathrm{in} = R_1 \, \| \, R_2 \, \left\| \, \left( r_\pi + ( 1 + \beta_0 ) ( R_\mathrm{E} \| R_\mathrm{load} ) \right) \right. \,

Gain en courant[modifier | modifier le code]


A_\mathrm{vm} = {r_\mathrm{in} \over R_\mathrm{load}}

Résistance de sortie[modifier | modifier le code]


r_\mathrm{out} = R_\mathrm{E} \left\| { r_\pi + R_1 \| R_2 \| R_\mathrm{source} \over {1 + \beta_0} } \right.

Les variables non listées sur le schéma sont :

  • gm : la transconductance en siemens, calculée grâce à g_m = { I_\mathrm{C} \over V_\mathrm{T} } \,, avec :
  • \beta_0 = { I_\mathrm{C} \over I_\mathrm{B} } \, est le gain en courant à basse fréquence (communément appelé hFE). C'est un paramètre spécifique à chaque transistor. Il est indiqué dans sa fiche technique.
  • r_\pi = { \beta_0 \over g_m } = { V_\mathrm{T} \over I_\mathrm{B} } \,

Voir aussi[modifier | modifier le code]

Liens internes[modifier | modifier le code]