Hybrid Memory Cube
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La mémoire Hybrid Memory Cube (HMC) est une mémoire constituée de couches empilées de mémoire de type DRAM. Cet empilement donne une troisième dimension à la mémoire (habituellement organisée sur une grille bidimensionnelle), d'où le terme cube. La partie de contrôle et la partie stockage de la mémoire sont fusionnées (habituellement, ce sont deux entités séparées sur une DRAM), d'où le terme « Hybrid »[1].
Historique[modifier | modifier le code]
Le concept de cette mémoire a été énoncé début 2011 par la société américaine Micron. Micron et Samsung (coréen) se sont associés en pour passer du stade de concept à la commercialisation (prévue en 2013/2014).
Caractéristiques[modifier | modifier le code]
La consommation électrique est 70 % en moins que celle de la DDR3. Le débit de données est 15 fois supérieur à celui de la DDR3.
