Utilisateur:SynysterNoob/Brouillon
HEMT en GaN[modifier | modifier le code]
Un transistor de type HEMT (High Electron Mobility Transistors) à base de GaN est un transistor à effet de champ dont les matériaux qui le compose, sont des matériaux à large bande interdite GaN et AlGaN. Ce type de transistor trouve ses applications dans l'électronique de puissance et dans les systèmes hyperfréquence.
Le HEMT est composé d'une hétéro structure AlGaN/GaN quise distingue des autres transistors de même type par les mécanismes de formation du canal bidimentionnel d'électrons (2DEG).
La polarisation spontanée qui est du à la polarisation des matériaux semi-conducteurs et la la polarisation piézoélectrique qui est du à la différence entre les mailles des 2 matériaux de l'hétéro structure créent un champ électrique qui induit la présence de charges positives à l'interface. Les conditions de neutralité électronique conduisent ainsi à la formation du 2DEG.
Cette structure à l'avantage de ne pas avoir besoins de dopage dans les différentes couches de la structure et par conséquent d'obtenir un 2DEG à forte mobilité permettant un fonctionnement aux hautes fréquence.