Discussion utilisateur:0xRST/Brouillon

Bonjour, comme vous n'avez pas mis votre article en ligne, je vais me servir de la page discussion de votre brouillon. Veillez à ne pas supprimer votre brouillon sans sauvegarder les commentaires ci-dessus.

--Boinclement (discuter) 20 janvier 2019 à 18:47 (CET)

Remarque sur l'introduction

Précision sur le type de mémoire vive concerné

La première phrase de l'introduction se termine par ciblant principalement la mémoire vive. Si l'on prend l'article de Yoongu Kim et al. Dans l'introduction, il parle directement de DRAM qui est un type précis de mémoire vive (RAM). Cette précision me semble importante puisque l'on peut penser à la première lecture que tout type de RAM est sujet au martèlement mémoire.

--Boinclement (discuter) 20 janvier 2019 à 18:55 (CET)

touts types de RAM (et pas que) sont affectable, dans la section Variantes il y a une ligne a ce sujet. d'ou le "principalement" dans l'introduction. l'article de Yoongu Kim et al ce concentre sur la DRAM, pas nous; il ne me semble donc pas pertinent de laissé croire dans l'introduction que nous traiterons principalement de la DRAM.

0xRST (discuter) 21 janvier 2019 à 17:51 (CET)

Effectivement, pourriez-vous peut être expliciter cela, en expliquant la DRAM est sujette à l'attaque mais également le RDMA des NIC et la flash NAND des SSD. Je laisse cette remarque à votre appréciation.

--Boinclement (discuter) 21 janvier 2019 à 19:45 (CET)

Cause du martèlement mémoire

Cette phrase Il profite d'une vulnérabilité de la structure interne de la mémoire vive dû à sa miniaturisation. me semble incomplet. Le matèlement mémoire est bien dû à un problèlme de conception de la DRAM. Me ce problème pour moi n'est pas uniquement la miniaturisation. De ce que je comprend après la lecture des articles de Yoongu Kim et al. et du poste de blog de Project Zero c'est que le probleme de martèlement mémoire et du à la miniaturisation ET au fait que les cellules mémoire soit très proche les une des autres.

• "Disturbance errors occur only when the cumulative inter- ference effects of a wordline become strong enough to disrupt the state of nearby cells." - p3 Yoongu Kim et al.

• "This works because DRAM cells have been getting smaller and closer together. As DRAM manufacturing scales down chip features to smaller physical dimensions, to fit more memory capacity onto a chip, it has become harder to prevent DRAM cells from interacting electrically with each other." - Introduction to the rowhammer problem https://googleprojectzero.blogspot.com/2015/03/exploiting-dram-rowhammer-bug-to-gain.html

--Boinclement (discuter) 20 janvier 2019 à 19:14 (CET)

De mon point de vue la miniaturisation induit le fait que les cellules mémoire soit très proche les une des autres.

(0xA ZERTY (discuter) 21 janvier 2019 à 14:45 (CET))

C'est souvent le cas certes, mais rien n'empêche de miniaturiser les transistors et de les espacer de manières importante

--Boinclement (discuter) 21 janvier 2019 à 14:57 (CET)

c'est dans le cas que tu évoque une miniaturisation des transistors et non de la RAM en entière, faut il préciser "miniaturisation intégrale." pour être plus clair ?

0xRST (discuter) 21 janvier 2019 à 18:05 (CET)

Cette remarque ce base sur le fait, à mon sens, grâce à la miniaturisation nous avons pû augmenter la densité de transistors. Et le problème n'est pas le fait que les transistors soit plus petits, mais qu'ils soient plus proche les uns des autres grâce à leurs petites taille. De plus, de ce que j'ai pu lire jusqu'à maintenant, le problème de martèlement mémoire est dû à la miniaturisation et que les cellules mémoire soit très proche les une des autres. Si vous avez une source qui explique que le problème de marthèlement mémoire est dû uniquement à la miniaturistation sans jamais parlé de la forte densité de transistors au nm2, merci de me la partager.

--Boinclement (discuter) 21 janvier 2019 à 19:54 (CET)

le martélement de mémoire vient en effet du rapprochement des cellules mémoires, nous sommes d'accord, par contre en accord avec plusieurs définitions de miniaturisation (Définition Miniaturiser, miniaturisation, miniaturiser), la miniaturisation inclut le fait de rapprocher les cellules entre elles; donc dire "le problème de martèlement mémoire est dû à la miniaturisation et que les cellules mémoire soit très proche les une des autres." revient a dire 2 fois la même chose.

0xRST (discuter) 22 janvier 2019 à 15:00 (CET)

Citer la contre mesure principale ou historique

Il me semble intéressant de citer la contre mesure pincipale ou historique dans cette phrase : "Des contre-mesures matérielles et logicielles ont été implémentées mais ne sont généralement pas mise en place pour les particuliers."

--Boinclement (discuter) 20 janvier 2019 à 19:14 (CET)

Cela me semble juste mais nous avons pour consigne de ne pas mettre de source dans l'introduction

(0xA ZERTY (discuter) 21 janvier 2019 à 14:52 (CET))

Je ne parle pas de source, je parle bien d'expliciter les techniques possible (i.e PARA)

--Boinclement (discuter) 21 janvier 2019 à 14:56 (CET)

il me semble peu approprié de lister des contres mesures dans l'introduction (alors qu'elles disposent de leur section).

0xRST (discuter) 26 janvier 2019 à 00:36 (CET)

Remarque sur la section Avant propos

Remarque Général sur la section

Selon moi, l'organisation de cette section devrait être revue. Elle pourrait notamment commencer par un paragraphe pour l'histoire ainsi que le problème que vient résoudre la DRAM. Puis un paragraphe sur le fonctionnement de la DRAM de manière très vulgarisée. Et conclure par un paragraphe listent les avantages et inconvénients de la DRAM. Ce dernière paragraphe permettrait de mettre en lumière le problème de martèlement memoire.

Selon moi, cette section mérite une relecture attentive puisque la traduction est imparfaite à certains endroits.

De nombreuses phrases ne commence par une majuscule dans cette section.

--Boinclement (discuter) 20 janvier 2019 à 22:36 (CET)

pourrait tu précisé quels zones te semble imparfaite ?

0xRST (discuter) 26 janvier 2019 à 00:57 (CET)

• le condensateur peut ,selon les cas, être chargé ou déchargé, représentant une valeur binaire: le bit. => Le condensateur peut, selon les cas, être chargé ou déchargé, représentant une valeur binaire : le bit (1 ou 0). Une source serait bienvenue ;
• Le transistor est quand a lui utilisé pour accéder a la cellule. => Une source serait bienvenue ;
• À haut niveau, un module DRAM peut avoir un ou deux rangs, où un rang correspond a une face du PCB (Printed circuit board, acronyme anglais pour circuit imprimé) supportant modules mémoires (dual inline memory modules DIMMs en anglais) => Un schéma ainsi qu'une source serait bienvenue ;
• chaque rang est divisé en banques, qui peuvent être consultées simultanément pour augmenter le parallélisme des accès => **C**haque ; une source serait bienvenue ;
• Dans chaque banque, les cellules sont organisées en lignes et en colonne. Pour accéder à une cellule particulière, il faut d'abord activer la ligne correspondante. Une fois cela fait, la donnée a l'index colonne de la ligne est alors écrite dans la ligne cache de la banque (contours rouge sur l'image), la donnée sera alors servie depuis cette ligne cache. => Une source également ;
• les cellule DRAM perdent graduellement leur charge. De ce fait, elles ont besoin d’être rechargées de régulièrement pour conserver la valeur stockée. Ce processus est appelé refresh. La période de temps disponible avant la perte de la donnée par déchargement est appelée temps de rétention, qui est fixé dans la spécification DRAM DDR3 a au moins 64 ms. Un refresh doit donc être effectué sur chaque ligne dans ce laps de temps. => Majuscule en début de phrase.

des majuscules s’était perdue et n'ayant pas l'habitude d'en mettre, je ne les avais pas remarqué; merci.

0xRST (discuter) 30 janvier 2019 à 14:42 (CET)

Si j'ai bien compris, le schéma dans la section en dessous devrait être dans cette section ?

--Boinclement (discuter) 27 janvier 2019 à 12:34 (CET)

non, pas nécessairement. ce serai effectivement plus visuel avec un schéma ou une photo surligné, nous cherchons donc mais cette section ayant un article détaillé et etant limite hors sujet; nous n'y avons pas consacré autant de temps qu'au reste de l'article (idem pour les sources car nous n’évoquons ici que des généralités facilement vérifiables tenant principalement de la dénomination de composant).

(j'ajoute tout de même ces remarques a la liste des taches a accomplir)

0xRST (discuter) 30 janvier 2019 à 14:42 (CET)

Je ne comprends pas vraiment cette section, je vois le but mais le contenu n'est pas vraiment explicite notamment les notions de bas et haut niveau. Il serait bien de lier les termes techniques à d'autre page wiki (cellule, rang, banque) ou de les expliquer.

Lolerol (discuter) 21 janvier 2019 à 16:54 (CET)

pour les notion de bas et haut niveau: les mots sont peut être mal choisit, et peuvent être remplacer par "niveau physique/élémentaire et logique" (voir simplement supprimé si ils gênent a la compréhension); nous n’avons pas trouvé de pages adapté sur les dénomination des parties de la RAM (c'est pourquoi la section renvoi vers et ces dénominations sont expliquée dans le texte ("... est une cellule", "un rang correspond a une face du PCB", "chaque rang est divisé en banques [...] Dans chaque banque, ..."). une illustration pourrait être utile pour mieux visualisé ces dernière mais j'ai peur que cela déséquilibre le texte (qui de plus renvoi déjà vers un article détaillé) qui est déjà hors sujet mais nécessaire a la compréhension du sujet.

0xRST (discuter) 25 janvier 2019 à 20:04 (CET)

Le changement par niveau logique et physique me va. il est vrai que vous aviez mis un article détaillé, je n'avais pas fait attention. Je ne pense pas que la mise en place d'un schéma va déséquilibrer le texte meme pour une partie avant propos.

Lolerol (discuter) 27 janvier 2019 à 12:40 (CET)

changement effectuer. pour le schéma, nous cherchons une illustration explicite: ajouté a la TODO list.

0xRST (discuter) 30 janvier 2019 à 14:50 (CET)

Quel est le lien entre les deux paragraphes de détails sur la DRAM et celui sur la perte de charge ? Vu que vous parlez de la perte de charge au debut de la partie suivante, pourquoi ne pas l'expliquer au debut de la partie Concept général ?

Lolerol (discuter) 21 janvier 2019 à 16:54 (CET)

Manque de citations

Le deux premiers paragraphes n'ont aucunes sources. Il est tout à fait possible de les sourcer avec de la documatation constructeur ou des articles scientifique.

--Boinclement (discuter) 20 janvier 2019 à 19:18 (CET)

Ajouter un schéma représentant un cellule DRAM

Un schéma sur le fonctionnement d'une cellule DRAM pourrais être le bien venu dans cette section.

--Boinclement (discuter) 20 janvier 2019 à 19:23 (CET)

Remarque sur la section Concept général

Remarque générale sur la section

Le contenu de cette section semble être un copié collé traduit en français de la page anglaise Row Hammer (section overview)

Lolerol (discuter) 21 janvier 2019 à 16:20 (CET)

La traduction est une contribution et permet de rendre la donnée lisible aux personnes ne comprenant pas la langue de Shakespeare.

(0xA ZERTY (discuter) 25 janvier 2019 à 17:12 (CET))

Bonjour, je ne suis absolument pas l'un de vos relecteurs. J'ai trouvé cette remarque intéressante vis à vis de la manière dont ça doit être fait sur wikipedia.

Il existe une page qui explique les différentes règles ici : https://fr.wikipedia.org/wiki/Projet:Traduction. Puis un peu plus de précision ici : https://fr.wikipedia.org/wiki/Projet:Traduction/Intro#Licence où je vous invite à lire la partie "Licence" : Vous devez indiquer clairement que la partie a été traduite et donner un lien vers l'originale / les auteurs si je comprends bien. --Tamolegro (discuter) 27 janvier 2019 à 20:21 (CET)

merci beaucoup, les indications seront faites sur les différentes parties traduites (elles proviennent pour la plus part de la page anglaise du même sujet).

0xRST (discuter) 28 janvier 2019 à 15:04 (CET)

Remarque sur la section Variantes

Je trouve cette section sous exploité.

Pour chacunes des sections suivantes, vous propose le plan suivant :

• Introduction de X ;
• Exploitation de l'attaque de X ;
• Mitigation de l'attauqe de X ;

--Boinclement (discuter) 26 janvier 2019 à 13:53 (CET)

Parlons de SSD et flash NAND

Vous trouvez tout le nécessaire dans les articles suivants :

• https://www.computer.org/csdl/proceedings/hpca/2017/4985/00/4985a049-abs.html ;
• https://ieeexplore.ieee.org/document/6657034 ;
• https://users.ece.cmu.edu/~omutlu/pub/flash-read-disturb-errors_dsn15.pdf ;
• https://www.researchgate.net/publication/224313593_A_34MBs-Program-Throughput_16Gb_MLC_NAND_with_All-Bitline_Architecture_in_56nm ;
• https://www.researchgate.net/publication/2977351_A_117-mm2_33-V_only_128-Mb_multilevel_NAND_flash_memory_for_mass_storage_applications ;
• https://arxiv.org/pdf/1805.03291.pdf .

--Boinclement (discuter) 26 janvier 2019 à 13:53 (CET)

double-sided hammering

Vous parlez de double-sided hammering, mais nous ne cité pas de source.

Je vous propose les sources suivantes :

• https://www.usenix.org/system/files/conference/usenixsecurity16/sec16_paper_razavi.pdf -- La partie 4. Implementation en parle largement ;
• https://www.cs.vu.nl/~kaveh/pubs/pdf/ffs-usenixsec16.pdf -- L'ensemble du papier me semble pertient sur le sujet.

--Boinclement (discuter) 26 janvier 2019 à 13:45 (CET)

Throwhammer

Je vous propose les sources suivantes :

• https://www.cs.vu.nl/~herbertb/download/papers/throwhammer_atc18.pdf ;
• https://www.securitynow.com/author.asp?section_id=649&doc_id=743187 ;
• https://thehackernews.com/2018/05/rowhammer-attack-exploit.html ;
• https://misc0110.net/web/files/another_flip_whitepaper.pdf.

--Boinclement (discuter) 27 janvier 2019 à 12:23 (CET)

Remarque sur la section Exploitation de l'attaque

Je pense que cette partie devrait être abordée avant la partie variantes.

--Boinclement (discuter) 27 janvier 2019 à 22:40 (CET)

Code source d'exemple

Ajouter du code source en exemple serait un plus. Vous pouvez trouver un code fonctionnel sur la page anglaise de l'article wikipédia ou bien dans plusieurs articles scientifique que vous cité comme source et bien sur sur le blog de Project Zero.

--Boinclement (discuter) 20 janvier 2019 à 22:57 (CET)

Parenthèses superflues

Je trouve les parenthèses dans le derniers paragraphe de la section superflues, elles cassent la lecture à mon avis.

Changer : "les chercheurs de VUSec (groupe de sécurité système et réseau à VU Amsterdam) ont publié Drammer" en "les chercheurs du groupe de sécurité système et réseau à VU Amsterdam (VUsec) ont publié Drammer".

--Boinclement (discuter) 20 janvier 2019 à 22:55 (CET)

Changement effectué

(0xA ZERTY (discuter) 21 janvier 2019 à 14:54 (CET))

Utilisation de la balise code

Dans cette phrase l'instruction machine clflush (Vide une ligne de cache),, vous pouvez utiliser la balise code.

Ce qui donne : l'instruction machine clflush (Vide une ligne de cache),

--Boinclement (discuter) 20 janvier 2019 à 23:05 (CET)

Changement effectué

(0xA ZERTY (discuter) 21 janvier 2019 à 14:59 (CET))

Anglicisme

Dans cette phrase " le système de mémoire virtuelle pour mapper des adresses virtuelles sur des adresses physiques," située dans le troisième paragraphe de la section, il serait préférable de change le mot mapper par faire correspondre.

--Boinclement (discuter) 20 janvier 2019 à 23:09 (CET)

Changement effectué

(0xA ZERTY (discuter) 21 janvier 2019 à 15:02 (CET))

Traduction imparfaite

Dans cette phrase : "En juillet 2015, un groupe de chercheurs en sécurité a publié un article décrivant un moyen indépendant de l'ensemble des instructions" traduit de l'anglais : "In July 2015, a group of security researchers published a paper that describes an architecture- and instruction-set-independent" instruction set ce traduit par jeux d'instructions et non ensemble d'instruction.

--Boinclement (discuter) 20 janvier 2019 à 23:12 (CET)

Changement effectué

(0xA ZERTY (discuter) 21 janvier 2019 à 15:05 (CET))

Exemple de stratégies de remplacement

Après cette phrase "Bien que les stratégies de remplacement de cache diffèrent d'un processeur à l'autre,", il serait interressant de citer quelques stratégies en exemple.

--Boinclement (discuter) 20 janvier 2019 à 23:16 (CET)

Phrases à revoir

Je vais ici me permettre de lister les phrases que je ne comprends pour demandé plus de détails :

• "Au lieu de compter sur l'instruction clflush pour effectuer des vidages de la mémoire cache, cette approche permet d'obtenir des accès mémoire non mis en cache en provoquant un taux très élevé d'expulsion de mémoire cache à l'aide de modèles d'accès mémoire soigneusement sélectionnés" ;

--Boinclement (discuter) 20 janvier 2019 à 23:18 (CET)

Remarque générale sur la section

Le contenu de cette section semble être un copié collé traduit en français de la page anglaise Row Hammer (section exploits)

Lolerol (discuter) 21 janvier 2019 à 16:20 (CET)

La traduction est une contribution et permet de rendre la donnée lisible aux personnes ne comprenant pas la langue de Shakespeare.

(0xA ZERTY (discuter) 25 janvier 2019 à 17:13 (CET))

Remarque général sur l'article

Vous utilisez de manière périodique "Martèlement mémoire" et "Row hammer", je pense que vous pouvez cantonner à "Marthèlement mémoire".

--Boinclement (discuter) 20 janvier 2019 à 22:59 (CET)

Changement effectué

0xRST (discuter) 26 janvier 2019 à 00:29 (CET)

Il y a quelques fautes d'orthographes dans l'article.

Lolerol (discuter) 21 janvier 2019 à 17:12 (CET)

merci de bien vouloir précisé l'emplacement et le type précis des "fautes" car les 2 auteurs étant atteins de troubles dys- il nous est difficile de les localisés. ( les fautes )

0xRST (discuter) 26 janvier 2019 à 00:29 (CET)

Pas de problèmes, c'est surtout des fautes de type : il manque un "s", ou verbe en "é" au lieu de "er", ou un participe passé mal accordé (é, ée, ées).

Si je dois en citer quelques une. Section avant propos : "les cellule(s)", section concept général : stocker(ée), impacter(é), et affecté(ée).

Lolerol (discuter) 27 janvier 2019 à 12:52 (CET)

Il n'y a pas de références dans l'article, seulement une bibliographie qui sert aussi de références.

Lolerol (discuter) 21 janvier 2019 à 17:12 (CET)

Remarques apropos de la section Contres-mesures

Remarque générale sur la section

Mettre des majuscules sur tous les noms des sous-section serait préférable.

Lolerol (discuter) 21 janvier 2019 à 17:16 (CET)

Je pense qu'il faudrait changer le nom de vos sous parties, en mettant plutôt le nom de la contre mesure ou le nom de la technologie utilisé pour cette contre mesure. Comme ça votre section contre mesure ferait moins "listing", mais plutôt en présentant la techno et en disant comment elle règle un des problèmes, par quel moyens ...

Isolation de mémoire changé par G-CATT et GuardION. Suppression de mémoire vulnérable par B-CATT. Rafraîchissent de la mémoire par PARA. Conception de la mémoire par ECC.

Lolerol (discuter) 27 janvier 2019 à 13:00 (CET)

Conception de la mémoire

Si je comprends bien, ici sur parler d'ECC, je pense qu'il faudrais préciser à un moment qu'il sagit de la technologie ECC.

--Boinclement (discuter) 21 janvier 2019 à 10:27 (CET)

ECC et Mémoire à code correcteur d'erreurs sont la même chose c'est juste la traduction en français

(0xA ZERTY (discuter) 21 janvier 2019 à 15:23 (CET))

Je sais bien, merci, mais je pense intéressant de mettre le terme ECC explicitement. C'est un terme très connus, cela peut aidez les personnes qui lisent votre article à faire le lien plus facilement.

--Boinclement (discuter) 21 janvier 2019 à 15:34 (CET)

Changement effectué

(0xA ZERTY (discuter) 21 janvier 2019 à 15:39 (CET))

rafraîchissent de la mémoire

Je pense que cette section devrait être renommé en PARA. Puisque c'est le nom de la contre mesure.

De plus, ces deux phrase à mon sens méritent d'être revues : "À chaque fois qu'une ligne de mémoire est ouverte et fermée, une des lignes adjacentes est aussi ouverte avec une faible probabilité. Si une ligne de mémoire est ouverte et fermée de manière répétitive, il devient certain qu'une des lignes adjacentes soit ouverte aussi. L'avantage principal de PARA, c'est qu'il n'a pas d'état."

Voici une proposition : "Le pincipe de fonctionnement de PARA est le suivant : À chaque fois qu'une ligne est ouverte (rafraîchit) ou fermé, une ligne adjacente l'est également. En effet, Yooungo Kim et al. ont montré quand en appliquant une faible probabilité de rafraîchissement à la ligne adjacente, lors d'une attaque de type martèlement de mémoire, la ligne visée par cette attaque est ouverte un nombre important de fois. Ce qui rend la probabilité d'ouverture d'une des lignes adjacentes importante".

--Boinclement (discuter) 21 janvier 2019 à 14:54 (CET)

PARA est une contre mesure utilisant le rafraîchissement de la mémoire. Mais celle-ci n'est qu'un exemple, il en existe d'autres.

la phrase mérite bien d'être revu mais votre proposition est erroné car les lignes adjacentes ne sont pas rafraîchit systématiquement mais justement avec une faible probabilité.

(0xA ZERTY (discuter) 21 janvier 2019 à 15:28 (CET))

Je reprends la phrase du dessus : "Le pincipe de fonctionnement de PARA est le suivant : À chaque fois qu'une ligne est ouverte (rafraîchit) ou fermé, une ligne adjacente l'est également. En effet, Yooungo Kim et al. ont montré quand en appliquant une faible probabilité de rafraîchissement à la ligne adjacente, lors d'une attaque de type martèlement de mémoire, la ligne visée par cette attaque est ouverte un nombre important de fois. Ce qui rend la probabilité d'ouverture d'une des lignes adjacentes importante".

Cette phrase n'est qu'une proposition, elle n'est pas et ne doit pas être la phrase finale.

De plus, si PARA n'est qu'une technique possible, pour ne pas citer les autres techniques ?

--Boinclement (discuter) 21 janvier 2019 à 15:40 (CET)

- cette phrase vous semble plus simple à comprend ?

Le principe de fonctionnement de PARA est le suivant : À chaque fois qu'une ligne est ouverte (rafraîchis) ou fermé, une des lignes adjacentes peut l'être également selon une probabilité définie. En effet, Yooungo Kim et al ont montré qu'en appliquant une faible probabilité de rafraîchissement aux lignes adjacentes, lors d'une attaque de type martèlement de mémoire, une ligne mémoire est ouverte un nombre important de fois. Ce qui rend la probabilité de rafraîchissement de ses lignes adjacentes certaines.

- par manque de temps vu l'étendue du sujet et car les autres techniques sont moins intéressantes car elles se contente majoritairement de rafraîchir l'ensembre de la mémoire plus souvent

(0xA ZERTY (discuter) 21 janvier 2019 à 15:59 (CET))

Si cela vous convient, oui. Je reste persuadé qu'il serait intéressant de lister les autres techniques même si elles vous semblent moins importantes.

--Boinclement (discuter) 21 janvier 2019 à 16:35 (CET)

Relecture VS2I

Bonjour, je suis en M2 VS2I et également chargé d'une relecture constructive de votre travail. N'étant pas spécialiste dans votre domaine, ma contribution portera entre autres sur la rédaction et sur le référencement ses sources. Veuillez trouver ci-dessous mes remarques visant à améliorer la qualité de votre article.

Avant-propos

Ici il manque un tiret dans le titre entre "Avant" et "propos". Quelques petites fautes se sont glissées dans cette partie :)

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Ligne 1: "a accès aléatoire", il faut mettre "à accès aléatoire".
Ligne 2: "quand a" est à remplacer par "quant à"; "a la cellule" est à remplacer par "à la cellule".
Ligne 3: "correspond a" est à remplacer par "correspond à".
Ligne 5: Je ne comprends pas le sens de l'expression "la donnée a l'index colonne de la ligne", en particulier le "a" je le remplacerai par "à" ou par "de" mais j'ignore le lien entre la donnée et l'index colonne.
Ligne 7: Il manque un s à "cellule". Il me semble que le "de" avant "régulièrement" est en trop.
Ligne 8: Il faut remplacer le "a" par "à" juste après DDR3.

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En ce qui concerne la ponctuation, j'ajouterai quelques modifications afin de donner une meilleur lisibilité à votre texte. Attention à la majuscule en début de phrase, mais également pour la première lettre du sigle pour les acronymes. Par exemple, PCB (Printed Circuit Board,[...]). Il y a deux petites erreurs d'espace: à la ligne 1 avant la parenthèse fermée et à la ligne 2 l'espace doit être après la virgule et non avant. --Valentin_VSII (discuter) 29 janvier 2019 à 20:00 (CET)

Concept général

Pas de remarques particulières. --Valentin_VSII (discuter) 29 janvier 2019 à 20:00 (CET)

Variantes

Il manque des sources pour la variante double-sided hammering. Je vous propose d'aller regarder dans celles de l'article en anglais A la dernière ligne, je vous propose de remplacer la fin de la phrase par "sans nécessiter un privilège en particulier" ou "sans avoir recours à quelconque privilège" --Valentin_VSII (discuter) 29 janvier 2019 à 20:00 (CET)

Contres-mesures

Les titres des sous-parties nécessitent une majuscule. Il y a une erreur de conjugaison dans la petite introduction. "différentes approches ont était exploré" est à remplacer par "différentes approches ont été explorées". A la deuxième ligne, il serait judicieux d'écrire "23,24" comme référence à la place de "2423". Selon moi, le terme "rafraîchissent" n'est pas bon. J'écrirai "rafraîchissement". Dans les trois premières sous-parties, je remplacerai "les chercheurs" par "des chercheurs" afin de ne pas inclure tous les chercheurs de l'université en question. --Valentin_VSII (discuter) 29 janvier 2019 à 20:00 (CET)

Isolation de mémoire

Trois petites erreurs ici à savoir "utilisateurs et noyau" (pas de s à utilisateur s'il s'agit du mode utilisateur). La traduction de DMA s'écrit "mémoire à accès direct". Il manque un s au dernier mot ("possible").

Suppression de mémoire vulnérable

A la deuxième ligne, il faut respectivement écrire "hérités" et "exécuter" au lieu de "hérité et "exécuté"

Rafraîchissement de la mémoire

De mon point de vue, la phrase "L'avantage principal de PARA, c'est qu'il n'a pas d'état." mériterait d'être reformulée.

Conception de la mémoire

Voici ce que je vous propose comme phrase corrigéeL'effet de Martèlement mémoire est partiellement détecté et corrigé par les mémoires à code correcteur (ECC de l'anglais Error-Correcting Code) qui n'étaient initialement pas pensées pour cette utilisation.

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Bien à vous, --Valentin_VSII (discuter) 29 janvier 2019 à 20:00 (CET)