Electrolyte Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
Cet article est une ébauche concernant l’électronique.
Vous pouvez partager vos connaissances en l’améliorant (comment ?) selon les recommandations des projets correspondants.
Consultez la liste des tâches à accomplir en page de discussion.Un Electrolyte Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (EOSFET) est un transistor à effet de champ à grille métal-oxyde (MOSFET) dont le métal est remplacé par un électrolyte[1]. Le courant dans le FET est influencé par les charges présentes dans l'électrolyte en contact avec la couche d'isolant. Les EOSFET peuvent être utilisés pour détecter des biopolymères ou une activité neuronale.
Il est possible de réaliser des neuropuces (en) (neurochips) regroupant un grand nombre d'EOSFET.
Notes et références
[modifier | modifier le code]- ↑ (en) Cell-based biosensors: principles and applications, Norwood, MA, Artech House, coll. « Artech House Series: Engineering in Medicine and Biology », (ISBN 978-1-59693-439-9)
