Diode PIN

Un article de Wikipédia, l'encyclopédie libre.

Une diode PIN (de l’anglais Positive Intrinsic Negative diode) est une diode constituée d'une zone non-dopée, dite intrinsèque I, intercalée entre deux zones dopées P et N.

Une diode PIN polarisée dans le sens direct (passante) offre une impédance dynamique (vis-à-vis des signaux variables) extrêmement faible. Polarisée dans le sens inverse (bloquée) elle offre une très grande impédance et surtout une très faible capacité (elle se comporte comme un condensateur de très faible valeur, quelques picofarads, voire bien moins encore suivant les modèles).

Description[modifier | modifier le code]

Schéma d'une diode PIN

En plus des couches P+ et N+ typiques d'une diode. La diode PIN possède une zone centrale I dont le dopage est très inférieur. En conséquence, cette zone N agit comme un semi-conducteur intrinsèque, c'est-à-dire non dopé, d'où le nom de "I" donné à la zone.[1]

Caractéristiques et particularités[modifier | modifier le code]

Par rapport à une diode PN standard, les diode PIN (de taille similaire) présentent une meilleure tenue en tension[2] et une capacité de jonction plus faible.

Une diode PIN polarisée en direct (dans le sens passant), se comporte comme une résistance pilotée par le courant de polarisation. La résistance équivalente est fonction de la largeur de la zone non dopée et est inversement proportionnelle au courant de polarisation.[3]

Cette caractéristique fait que ces diodes sont utilisées comme atténuateur et interrupteur radio-fréquences : on commande le passage des hautes fréquences par le courant de polarisation.

Utilisation[modifier | modifier le code]

Utilisation en radiofréquences[modifier | modifier le code]

Ce sont des diodes de commutation rapide utilisées pour les signaux de hautes fréquences comme :

Utilisation en électronique de puissance[modifier | modifier le code]

Ces diodes sont également utilisées en électronique de puissance. En effet, elles présentent un recouvrement faible (dû à la faible capacité de jonction) et une tension de claquage élevée.[5]

Notes et références[modifier | modifier le code]

  1. 2.4.4. La diode P.I.N., polytech-lille.fr, consulté le 7 juillet 2019
  2. Jean-Marc Capron, Thèse : Modélisation des diodes de puissance, (lire en ligne), p. 17
  3. (en) Bill Doherty, PIN Diode Fundamentals, 2 p.
  4. a b et c Diodes PIN, radartutorial.eu, consulté le 8 juillet 2019
  5. « application fondamentales des diodes Zener, PIN, Schottky et varicap », sur digikey, (consulté le )

Voir aussi[modifier | modifier le code]

Bibliographie[modifier | modifier le code]

Articles connexes[modifier | modifier le code]

Liens externes[modifier | modifier le code]