CIGS (semiconducteur)

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CIGS (semiconducteur)
image illustrative de l’article CIGS (semiconducteur)
__ Cuivre     __ Sélénium     __ Indium ou Gallium
Propriétés chimiques
Formule brute CuInxGa1-xSe2
Propriétés physiques
fusion 990 à 1 070 °C
(x = 1 à 0)
Masse volumique 5,7 g·cm-3
Propriétés électroniques
Bande interdite 1,7 eV (x = 0) à
1,0 eV (x = 1)
Cristallographie
Classe cristalline ou groupe d’espace (no 122)

Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.

Le CIGS, de l'anglais copper indium gallium selenide (séléniure de cuivre, d'indium et de gallium), est un composé chimique de formule générique CuInxGa1-xSe2. C'est un semiconducteur à gap direct constitué de cuivre, d'indium, de gallium et de sélénium. Il s'agit d'une solution solide de CIS CuInSe2 (copper indium selenide, x = 1) et de CGS CuGaSe2 (copper gallium selenide, x = 0). Sa structure cristalline est semblable à celle de la chalcopyrite, dans le groupe d'espace I42d (no 122), avec une largeur de bande interdite variant de manière continue de 1,02 eV pour le CIS à 1,7 eV pour le CGS[1].

Ce matériau est utilisé essentiellement pour réaliser des cellules photovoltaïques à couches minces. Il présente l'avantage de pouvoir être déposé sur des surfaces flexibles afin de réaliser des panneaux solaires souples et légers.

Cellules photovoltaïques en CIGS sur support plastique.

Notes et références[modifier | modifier le code]

  1. (en) T. Tinoco, C. Rincón, M. Quintero et G. Sánchez Pérez, « Phase Diagram and Optical Energy Gaps for CuInyGa1−ySe2 Alloys », Physica Status Solidi (a), vol. 124, no 2,‎ , p. 427-434 (DOI 10.1002/pssa.2211240206, Bibcode 1991PSSAR.124..427T, lire en ligne)