Base commune

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Un amplificateur à base commune.

En électronique, une base commune est un type d'amplificateur électronique utilisant un transistor bipolaire. Le terme de base commune vient du fait que l'électrode « base » du transistor est reliée à la masse. Dans cette configuration, le signal d'entrée est appliqué à l'émetteur, le signal de sortie étant récupéré au collecteur.

Ce circuit n'est pas le plus employé en basse fréquence, mais il est souvent utilisé pour les amplificateurs qui exigent une impédance d'entrée exceptionnellement basse, comme les microphones à bobine mobile. Ce circuit est très utilisé dans les amplificateurs à haute fréquence, comme pour la VHF ou l'UHF car sa capacité d'entrée n'est pas accrue par l'effet Miller, responsable de la chute du gain à haute fréquence du montage à émetteur commun. Il est aussi souvent utilisé dans les amplificateurs à plusieurs étages car son courant d'entrée dépend très peu de sa tension de sortie.

Une autre application de ce montage est le « buffer » de courant, le courant d'entrée IE étant quasiment égal au courant de sortie IC.

Caractéristiques en petits signaux[modifier | modifier le code]

Common base.png
Remarque 
Les lignes parallèles indiquent que les composants sont disposés en parallèle.

Gain en tension[modifier | modifier le code]


{V_\mathrm{out} \over V_\mathrm{in}} = g_m (R_\mathrm{C} \| R_\mathrm{load})\,

Résistance d'entrée[modifier | modifier le code]


r_\mathrm{in} = R_\mathrm{E} \left\| {r_\pi\over 1 + \beta_0} \right.

On néglige la résistance R1//R2 car la base est à la masse (on court-circuite R1//R2).

Gain en courant[modifier | modifier le code]


A_\mathrm{vm} = {r_\mathrm{in} \over R_\mathrm{load}}

Résistance à la sortie[modifier | modifier le code]


r_\mathrm{out} = R_\mathrm{C}\,

Les variables non listées sur le schéma sont :

  • gm : la transconductance en siemens, calculée grâce à g_m = { I_\mathrm{C} \over V_\mathrm{T} } \,, avec :
  • \beta_0 = { I_\mathrm{C} \over I_\mathrm{B} } \, est le gain en courant à basse fréquence (communément appelé hFE). C'est un paramètre spécifique à chaque transistor. Il est indiqué dans sa fiche technique.
  • r_\pi = { \beta_0 \over g_m } = { V_\mathrm{T} \over I_\mathrm{B} } \,

Courant à saturation[modifier | modifier le code]

IcSat =\frac{Vcc}{\left (Rc + Re  \right )}

Courant collecteur[modifier | modifier le code]


Ic = \frac{\left ( \left (\frac{R2}{R1+R2}  \right )* Vcc \right )-0,7}{Re}

Tension d'entrée du collecteur[modifier | modifier le code]

Vce=Vcc - \left ( Ic * \left ( Rc + Re \right ) \right )

Résistance d'entrée[modifier | modifier le code]

Ren = \beta cc * Re

Résistance d'entrée "prime"[modifier | modifier le code]

Re'=\frac{25}{Ie}\simeq \frac{25}{Ic}

Voir aussi[modifier | modifier le code]

Articles connexes[modifier | modifier le code]