3 µm

Un article de Wikipédia, l'encyclopédie libre.
Aller à : navigation, rechercher
image illustrant l’électronique
Cet article est une ébauche concernant l’électronique.

Vous pouvez partager vos connaissances en l’améliorant (comment ?) selon les recommandations des projets correspondants.

3 µm (ou encore 3 000 nm) est l'évolution de l'essai précédent du processus 10 µm. Cette technologie des semi-conducteurs a été atteinte en 1975 par les sociétés de semi-conducteurs, comme Intel.

Le successeur de ce procédé utilise une largeur de canal de 1.5 µm.

Produits fabriqués avec un processus de 3 µm[modifier | modifier le code]