Orthosilicate de tétraéthyle
| Orthosilicate de tétraéthyle | |||
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  Structure de l'orthosilicate de tétraéthyle. |
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| Identification | |||
| No CAS | |||
| No EINECS | |||
| Apparence | liquide incolore, d'odeur caractéristique[1] | ||
| Propriétés chimiques | |||
| Formule brute | C8H20O4Si [Isomères] Si(C2H5O)4 |
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| Masse molaire[2] | 208,3275 ± 0,0093 g/mol C 46,12 %, H 9,68 %, O 30,72 %, Si 13,48 %, |
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| Propriétés physiques | |||
| T° fusion | -77 °C[1] | ||
| T° ébullition | 168 °C[1] | ||
| Miscibilité | dans l'eau : hydrolyse lente[1] | ||
| Masse volumique | 0,93 g·cm-3[1] | ||
| Point d’éclair | 37 °C (coupelle fermée)[1] | ||
| Limites d’explosivité dans l’air | 1,3–23 %vol[1] | ||
| Pression de vapeur saturante | à 20 °C : 200 Pa[1] | ||
| Précautions | |||
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 Xn |
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  B2, B6, D2B, |
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  Attention |
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| Écotoxicologie | |||
| Seuil de l’odorat | bas : 3,6 ppm[5] | ||
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L'orthosilicate de tétraéthyle (TEOS) est un composé chimique de formule Si(OCH2CH3)4 ; l'abréviation TEOS (pour tetraethylorthosilicate) est généralement utilisée dans l'industrie du sol-gel, où il est intensivement étudié. La majorité des études en sol-gel pour des sols de silices ont utilisé ce produit comme précurseur.
Le TEOS est généralement produit par alcoolyse du tétrachlorure de silicium SiCl4 dans de l'éthanol CH3CH2OH :
Il est utilisé pour la réticulation de silicones et possède certaines applications comme précurseur du dioxyde de silicium SiO2 dans l'industrie des semi-conducteurs[6] dans le cadre d'une réaction sol-gel. La propriété remarquable du TEOS est en effet de former du SiO2 par simple hydrolyse en libérant de l'éthanol CH3CH2OH :
Références[modifier]
- SILICATE DE TETRAETHYLE, fiche de sécurité du Programme International sur la Sécurité des Substances Chimiques, consultée le 9 mai 2009
- Masse molaire calculée d’après Atomic weights of the elements 2007, sur www.chem.qmul.ac.uk.
- « Silicate d'éthyle » dans la base de données de produits chimiques Reptox de la CSST (organisme québécois responsable de la sécurité et de la santé au travail), consulté le 25 avril 2009
- Numéro index dans le tableau 3.1 de l'annexe VI du règlement CE N° 1272/2008 (16 décembre 2008)
- Ethyl silicate, sur hazmap.nlm.nih.gov. Consulté le 14 novembre 2009
- (en) D.A.P Bulla et N.I Morimoto, « Deposition of thick TEOS PECVD silicon oxide layers for integrated optical waveguide applications », Thin Solid Films, vol. 334, no 1-2, décembre 1998, p. 60-64 [texte intégral (page consultée le 24 décembre 2012)] (DOI:10.1016/S0040-6090(98)01117-1)
