Mémoire RAM non volatile

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Une mémoire RAM non volatile est une mémoire informatique qui est à la fois une mémoire RAM (qui permet l'accès direct à ses composantes) et une mémoire non volatile (qui ne perd pas son information lorsque l'alimentation électrique est interrompue).

Technologie[modifier | modifier le code]

Différentes technologies ont été utilisées pour implanter la mémoire RAM non volatile.

Tores de ferrite (vieille technologie maintenant désuète)[modifier | modifier le code]

Mémoire à tores de ferrite d'un CDC 6600 de 1961, capacité 1024 bits

Les tores de ferrite utilisés jusqu'au début des années 1970 dans la construction des ordinateurs étaient une forme de mémoire RAM non volatile.

FeRAM ou FRAM (en développement)[modifier | modifier le code]

La mémoire FRAM ou mémoire FeRAM (Ferroelectric RAM) est un type de mémoire d'ordinateur non volatile. Elle est similaire à la mémoire DRAM à laquelle on a ajouté une couche ferro-électrique pour obtenir la non volatilité. Par rapport aux mémoires flash utilisées actuellement, cette mémoire possèdera les avantages suivants :

  • une plus faible consommation d'électricité ;
  • une plus grande rapidité de lecture et d'écriture ;
  • la possibilité d'être effacée et ré-écrite un bien plus grand nombre de fois.

MRAM (en développement)[modifier | modifier le code]

Encore en cours d'élaboration la mémoire MRAM (Magnetic RAM) est une technologie utilisant la charge magnétique de l'électron. Les performances théoriques en font une mémoire utilisable à terme dans beaucoup de domaines. Étudiée par tous les grands acteurs de l'électronique, elle commence tout juste (juillet 2006) à être commercialisée et devrait prendre son essor à l'horizon 2010.

NRAM (en développement)[modifier | modifier le code]

La mémoire NRAM ou mémoire Nano-RAM est un type de mémoire d'ordinateur non volatile à l'état de recherche et développement. Le fonctionnement de la mémoire NRAM est basée sur la position des nanotubes de carbone sur un substrat semblable à un circuit intégré. En théorie, la petite dimension des nanotubes devrait permettre une très grande densité d'information par unité de surface. Les chercheurs espèrent que cette mémoire remplacera un jour la mémoire flash.

PRAM (en développement)[modifier | modifier le code]

La mémoire PRAM (PRAM, Phase-Change Memory, PCM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM ou C-RAM en anglais) est un type de mémoire d'ordinateur non volatile à l'état de recherche et développement. La mémoire PRAM utilise le comportement du verre de chalcogénure qui bascule de la forme cristalline à la forme amorphe sous l'effet de la chaleur. Les chercheurs espèrent que cette mémoire remplacera un jour la mémoire flash.

RRAM (en développement)[modifier | modifier le code]

Encore en cours d'élaboration, la mémoire RRAM (Resistive RAM) est une technologie de stockage d'information basée sur la résistivité de matériaux isolants. Des matériaux comme HfO2, Zr02, Ti02, tantalum dioxide/ditantalum pentoxide, etc... déposés en couche mince peuvent avoir des résistivités différentes en fonction d'une ddp qu'on leur applique. Plus exactement, il se crée des canaux (le long des joints de grain le plus souvent) au niveau des lacunes en atomes d'oxygène où la résistivité du matériaux diminue et le passage des électrons est possible. L'intégration de ces matériaux reste un des plus grand challenge mais les RRAM pourraient bien être une des technologies les plus prometteuse pour le remplacement futur de la mémoire flash[1].

Référence[modifier | modifier le code]

  1. Resistive RAM for next-generation nonvolatile memory

Voir aussi[modifier | modifier le code]

Lien externe[modifier | modifier le code]