DDR4 SDRAM
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La DDR4 SDRAM succédera à la DDR3 SDRAM. L'information a été présentée à Intel Developer Forum à San Francisco 2008.
Le plus bas clock speed sera à 1 600 MHz jusqu'au niveau maximal de 3,2 GHz pour une tension de 1 V[1].
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[modifier] Description
Des informations plus récentes d'un membre du JEDEC indiqueraient que ce sont des fréquences de 2 133 MHz à 4 266 MHz qui sont visées.
La DDR4 SDRAM, qui sera probablement connue sous la forme simplifiée DDR4 (à ne pas confondre avec la GDDR4), est destinée à être progressivement utilisée dans les ordinateurs personnels commercialisés à partir de l'année 2012. La finalisation des spécifications est prévue pour 2011, alors que la démocratisation n'est attendue que vers 2015.
« DDR4 SDRAM » est un sigle anglais pour Double Data Rate 4th génération Synchronous Dynamic Random Access Memory, signifiant « Mémoire à Accès Direct (Aléatoire) Synchrone à Débit de Données Doublé de quatrième génération ». DDR4 doit offrir des améliorations de performances tout en diminuant la consommation électrique. On passerait à des tensions comprises entre 1,2 V et 1,5 V. Et jusqu'à 1,05 V avec les versions basse consommation.
Le mois de février 2009, Samsung a réalisé le chip DRAM sur 40 nm, cela peut être considéré comme une étape importante vers le processus de développement de DDR4 SDRAM[2].
Au mois de janvier 2011, Samsung[3] annonce la réalisation d'un module mémoire DDR4 d'une capacité de 2 Go dont les puces sont gravées en 30 nm. Ce module a une bande passante maximale de 2.133 Gbps et fonctionne avec une tension de 1,2 V contre 1,5 V pour les modules DDR3. Cette baisse de tension couplée avec l'introduction de la technologie Pseudo open drain (POD) qui réduit de moitié le courant électrique nécessaire à la lecture et l'écriture des données entraînent une réduction de 40% de la consommation du module par rapport à un module DDR3 équivalent.
[modifier] Vue d'ensemble
Les premières barrettes fonctionneront selon Qimonda[4] à une fréquence de 2 133 MHz avec une tension de seulement 1,2 V contre 1,5 V pour la DDR3 et 1,8 V pour la DDR2. Elles pourraient atteindre 2 667 MHz avec une tension de seulement 1 V en 2013.
