Buffered oxide etch

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Le buffered oxide etch (BOE - oxyde gravant tamponné) est une solution gravante utilisée en micro-fabrication. Cette solution est essentiellement utilisée pour graver des couches minces de dioxyde de silicium (SiO2) ou de nitrure de silicium (Si3N4).

Elle est composée d'un tampon, comme du fluorure d'ammonium (NH4F), et d'acide fluorhydrique (HF).

Utilité[modifier | modifier le code]

Dans le cas des couches minces, l'acide fluorhydrique concentré (généralement 49 % d'eau) réagit beaucoup trop vite avec le dioxyde de silicium pour avoir un bon contrôle sur la réaction. L'utilisation du BOE permet de rendre l'acide fluorhydrique un peu moins réactif, et donc d'avoir un meilleur contrôle sur la réaction[1].

Caractéristiques[modifier | modifier le code]

On trouve généralement dans le BOE un ratio 6:1 entre le fluorure d'ammonium et l'acide fluorhydrique. Ce type de solution est capable de graver une couche d'oxyde développé thermiquement avec un taux de 2nm par seconde, à 25 °C.

Notes et références[modifier | modifier le code]

  1. (en) S. Wolf et R.N. Tauber, Silicon Processing for the VLSI Era: Volume 1 - Process Technology,‎ 1986 (ISBN 9780961672164), p. 532-533