Arséniure d'indium

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Arséniure d'indium
Sphalerite polyhedra..png
__ In3+     __ As3−
Indium arsenide.jpg
Identification
Nom IUPAC arséniure d'indium(III)
No CAS 1303-11-3
Apparence Solide gris
Propriétés chimiques
Formule brute AsIn  [Isomères]
Masse molaire[1] 189,74 ± 0,003 g/mol
As 39,49 %, In 60,51 %,
Propriétés physiques
fusion 936 à 942 °C
Solubilité insoluble dans l'eau
Masse volumique 5,68
Propriétés électroniques
Bande interdite 0,354 eV
Mobilité électronique 40 000 cm2·V-1·s-1
Cristallographie
Système cristallin blende
Propriétés optiques
Indice de réfraction 3,51
Précautions
Directive 67/548/EEC
Toxique
T
Dangereux pour l’environnement
N



Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.

L'arséniure d'indium, InAs, est un semi-conducteur composite binaire de type III-V, composé d'arsenic et d'indium. Il a l'apparence d'un cristal cubique, gris, avec un point de fusion de 942 °C[2]. L'arséniure d'indium est assez similaire à l'arséniure de gallium, ses propriétés en sont assez proches, et comme lui, il possède un gap direct. Il possède l'une des plus importantes mobilités d'électron parmi les semi-conducteurs, et son gap est l'un des plus petits. Il est toxique et dangereux pour l'environnement.

L'arséniure d'indium est parfois utilisé en combinaison avec le phosphure d'indium (InP). Les alliages avec l'arséniure de gallium (GaAs) forme un semi-conducteur ternaire, l'arséniure d'indium-gallium (InGaAs), dont le gap dépend du ratio In/Ga.

La différence de paramètre de maille entre l'arséniure d'indium et le phosphure d'indium ou l'arséniure de gallium est cependant suffisante pour former des boîtes quantiques (quantum dots) : lors du dépôt d'une monocouche d'InAs sur un substrat d'InP ou de GaAs, à cause des tensions qui se forment à cause de cette différence de paramètre de maille, l'arséniure d'indium se réorganise en « nano-îles » formant à la surface d'InP ou de GaAs des boîtes quantiques[3]. Il est également possible de former des quantum dots dans l'arséniure d'indium-gallium ou dans l'arséniure de gallium-aluminium.

Cristallographie[modifier | modifier le code]

Comme l'arséniure de gallium, et la plupart des semi-conducteurs binaires, l'arséniure d'indium a une structure cristallographique de type « blende ».

Applications[modifier | modifier le code]

De par sa forte mobilité en électrons et de son gap réduit, il est souvent utilisé en opto-électronique dans la gamme des rayonnements infrarouges et longueurs d'onde supérieures. Il est très souvent utilisé comme source de radiation térahertz car c'est un fort émetteur Photo-Dember. L'arséniure d'indium est aussi utilisé pour la fabrication de diodes laser.

Détecteur infrarouge[modifier | modifier le code]

L'arséniure d'indium est utilisé dans la fabrication de détecteurs infrarouges pour une longueur d'onde comprise entre 1 et 3,8 μm. Ces détecteurs sont souvent sous la forme de photodiodes, mais dans les derniers développements, l'arséniure d'indium est aussi utilisé dans les QWIPs et les QDIPs. Si leurs performances, notamment en termes de bruit, sont meilleures refroidis à des températures cryogéniques, les détecteurs à base d'InAs fonctionnent aussi à haute puissance à température ambiante.

Notes et références[modifier | modifier le code]

  1. Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
  2. (en) « Thermal properties of Indium Arsenide (InAs) » (consulté le 22 novembre 2011)
  3. (en) « oe magazine - eye on technology » (consulté le 22 novembre 2011)