3 µm

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3 µm (ou encore 3 000 nm) est l'évolution de l'essai précédent du processus 10 µm. Cette technologie des semi-conducteurs a été atteinte en 1975 par les sociétés de semi-conducteurs, comme Intel.

Le successeur de ce procédé utilise une largeur de canal de 1.5 µm.

Produits fabriqués avec un processus de 3 µm[modifier | modifier le code]